申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-10-17

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936459A

主分类号：H01L21/78

分类号：H01L21/78;H01L21/683;H01L21/3065

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本公开提供了一种半导体切割方法，半导体切割方法包括：提供层叠设置的半导体堆叠件和第一载片；去除第一载片，保留半导体堆叠件；将半导体堆叠件设置于第二载片上，半导体堆叠件和第二载片之间通过键合胶连接；切割半导体堆叠件，形成多个分立的半导体堆叠单元。通过采用临时键合的形式将半导体堆叠件从第一载片转移至第二载片上，第二载片可以替代传统的半导体框架支撑，进而使得半导体堆叠件可以位于采用全等离子刻蚀切割的机台上，并进行进一步地的切割，可以降低切割过程中颗粒物产生的可能性，并且提升芯片或者晶圆的表面平整度和清洁度，进而提升混合键合的良品率，保证混合键合后的芯片性能。

主权项：1.一种半导体切割方法，其特征在于，包括：提供层叠设置的半导体堆叠件和第一载片；将所述半导体堆叠件和所述第一载片设置于第二载片上，所述半导体堆叠件位于所述第一载片靠近所述第二载片的一侧，且与所述第二载片通过键合胶连接；去除所述第一载片，保留所述半导体堆叠件以及所述第二载片；切割所述半导体堆叠件，形成多个分立的半导体堆叠单元。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体切割方法

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