申请/专利权人：上海交通大学

申请日：2022-10-25

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117930430A

主分类号：G02B6/122

分类号：G02B6/122;G02B6/12;G02B6/132

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种基于硅‑二氧化铪‑硅混合波导及其制备方法，由上而下依次包括：硅波导层、二氧化铪层、硅层、掩埋氧化硅层和硅基层，该混合波导可传播TE模和TM模，其中：二氧化铪层的厚度改变导致光模场局域在二氧化铪层的比例值改变，即：光模场局域在二氧化铪层的比例与二氧化铪厚度正相关；在二氧化铪层为100nm时，光模场局域在二氧化铪层的比例为0.51。本发明通过异质集成结构引入二氧化铪材料，将二氧化铪的压电，线性电光等效应应用到集成光波导结构中并与微电子CMOS工艺相兼容，制备过程较为简单。

主权项：1.一种基于硅-二氧化铪-硅的TE模和TM模的混合波导，其特征在于，由上而下依次包括：硅波导层、二氧化铪层、硅层、掩埋氧化硅层和硅基层；所述的二氧化铪层的厚度改变导致光模场局域在二氧化铪层的比例值改变，即：光模场局域在二氧化铪层的比例与二氧化铪厚度正相关。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海交通大学 基于硅-二氧化铪-硅混合波导及其制备方法

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