申请/专利权人:西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日:2024-01-31
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN117936398A
主分类号:H01L21/60
分类号:H01L21/60;H01L23/492;H01L33/00;H01L25/075
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要:本发明公开的Micro‑LED的晶圆键合结构及键合方法,包括通过共晶叠层金属组键合的第一晶圆和第二晶圆,共晶叠层金属组由多组薄层共晶金属对交替堆叠而成。本发明的Micro‑LED的晶圆键合结构及键合方法,通过将两种共晶层金属分为多组薄层交替堆叠结构,减小共晶金属间接触反应需要的扩散距离。从而在不增大键合温度与压力条件下缩短工艺时间,提高生产效率的同时获得良好均匀的键合效果。
主权项:1.Micro-LED的晶圆键合结构,其特征在于,包括通过共晶叠层金属组键合的第一晶圆和第二晶圆9,共晶叠层金属组由多组薄层共晶金属对交替堆叠而成。
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权利要求:
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