申请/专利权人：恩特格里斯公司

申请日：2022-07-08

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117940440A

主分类号：C07F7/10

分类号：C07F7/10;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/30;C23C16/36;C23C16/32

优先权：["20210825 US 63/236,747"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提供可用作将含硅材料气相沉积于微电子装置表面上的前体的某些硅基胺化合物。此类前体可与任选的共反应物一起使用以沉积含硅膜，诸如氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧碳氮化硅SiOCN、碳氮化硅SiCN及碳化硅。

主权项：1.一种式I化合物， 其中R1、R2及R3各独立地选自氢、C1-C10烷基、C3-C8环烷基、芳基及苄基且n为0、1或2，限制条件为当n为1时，所述式I化合物不为三甲基硅基乙撑三胺。

全文数据：

权利要求：

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