申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-10-13

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936452A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，半导体结构制备方法包括：提供衬底；按照预设规则于衬底上形成沿第一方向交替分布的芯片结构及切割道，以及位于切割道内的初始沟槽隔离结构，初始沟槽隔离结构的材料为第一绝缘材料；刻蚀初始沟槽隔离结构，得到预设隔离沟槽；预设隔离沟槽暴露出目标参考层，目标参考层为与初始沟槽隔离结构沿其厚度方向的相邻层；于预设隔离沟槽内填充第二绝缘材料，第二绝缘材料的硬度大于第一绝缘材料的硬度。上述半导体结构制备方法形成的半导体结构中切割道内硬度更大的第二绝缘材料可以避免晶圆切割过程中出现剥离或崩裂等缺陷，提高产品良率，降低了晶圆切割的工艺成本。

主权项：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；按照预设规则于所述衬底上形成沿第一方向交替分布的芯片结构及切割道，以及位于所述切割道内的初始沟槽隔离结构，所述初始沟槽隔离结构的材料为第一绝缘材料；刻蚀所述初始沟槽隔离结构，得到预设隔离沟槽；所述预设隔离沟槽暴露出目标参考层，所述目标参考层为与所述初始沟槽隔离结构沿其厚度方向的相邻层；于所述预设隔离沟槽内填充第二绝缘材料，所述第二绝缘材料的硬度大于所述第一绝缘材料的硬度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构制备方法及半导体结构

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