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【发明公布】X射线管及X射线微焦斑光源的制备方法_深圳大学_202311787524.5 

申请/专利权人:深圳大学

申请日:2023-12-22

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN117936338A

主分类号:H01J35/08

分类号:H01J35/08;H01J35/16;H01J35/24;H01J9/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要:本发明提供一种X射线管及X射线微焦斑光源的制备方法,X射线管包括用于发射电子束的阴极和阳极靶,阳极靶包括基底靶层和屏蔽层;屏蔽层覆盖于部分基底靶层表面形成屏蔽区,基底靶层未被屏蔽层覆盖的区域被配置为若干个圆形的微米级发光区;本发明通过设置屏蔽层以及微米级发光区,当阴极发射的电子束轰击至阳极靶表面上时,屏蔽区屏蔽对应区域的基底靶层对电子束入射的响应,微米级发光区响应于电子束入射而发射X射线,每个微米级发光区直径小于100微米,可以满足X射线同轴相衬成像空间相干性要求,多个微米级发光区同时有效提高光源亮度、提高成像质量。

主权项:1.一种X射线管,包括用于发射电子束的阴极和阳极靶,其特征在于,所述阳极靶包括基底靶层和屏蔽层;所述屏蔽层覆盖于部分所述基底靶层表面形成屏蔽区,所述基底靶层未被所述屏蔽层覆盖的区域被配置为若干个独立微米级发光区,每个所述微米级发光区的最大边缘间距小于等于100μm;当所述阴极发射的电子束轰击至所述阳极靶表面上时,所述屏蔽区屏蔽对应区域的基底靶层对电子束入射的响应,所述微米级发光区响应于电子束入射而发射X射线。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳大学 X射线管及X射线微焦斑光源的制备方法

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