申请/专利权人：株式会社国际电气

申请日：2019-05-24

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936429A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67

优先权：["20180525 JP 2018-100711"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法及存储介质，抑制形成于基板的膜的膜厚偏差。基板处理装置包括：形成圆柱状的处理室的管部件；在管部件的外周面侧沿周向排列地形成多个并且划分通过供给孔与处理室连通的供给室的划分部件；在多个供给室分别配置一个以上，在侧面形成有将在内部流动的处理气体通过供给孔向处理室喷射的喷射孔，且沿轴向延伸的气体喷嘴；以及使多个气体喷嘴与对应的气体供给源分别连通的多个供气管。供给室包括第一喷嘴室和第二喷嘴室。处理气体包括原料气体，在第二喷嘴室配置有供原料气体流动的气体喷嘴和供其它处理气体流动的气体喷嘴。

主权项：1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板保持件，其保持基板；反应容器，其为形成有容纳上述基板保持件的处理室的反应容器，且形成有将上述处理室的内部的流体排出至外部的排出部、和在与上述排出部不同的位置向上述处理室的内部供给对上述基板进行处理的处理气体的供给部；供给室，其通过上述供给部与上述处理室连通，且容纳喷射部；第一喷射部、第二喷射部及第三喷射部，其沿周向排列地配置于上述供给室，且在侧面形成有将在内部流动的上述处理气体通过上述供给部向上述处理室的内部喷射的喷射孔；以及多个供气管，其使上述第一喷射部、第二喷射部及第三喷射部与各个气体供给源之间分别连通，上述处理气体包括第一原料气体及第二原料气体和惰性气体，上述第一原料气体及第二原料气体的至少一方包含构成形成于基板的膜的元素，上述第一喷射部构成为具有两个气体喷射部，且能够喷射上述第一原料气体和惰性气体，上述第二喷射部构成为在上述反应容器的周向上配置于上述第一喷射部之间，能够在上述第一喷射部喷射上述第一原料气体时供给惰性气体，并且能够在上述第一喷射部未喷射上述第一原料气体时喷射上述第二原料气体，上述第三喷射部构成为包括与上述第一喷射部的两个气体喷射部分别邻接配置的两个气体喷射部，且能够喷射惰性气体，还具备控制部，该控制部构成为能够对上述第二喷射部喷射上述第二原料气时从上述第一喷射部或上述第三喷射部的上述喷射孔各自喷射的惰性气体的供给量或流速进行控制。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社国际电气 基板处理装置、基板处理方法及存储介质

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