申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2022-10-13

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117926203A

主分类号：C23C14/54

分类号：C23C14/54;C23C14/34;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明实施例提供了一种用于半导体工艺设备的工艺补偿方法和半导体工艺设备，该方法包括：获取当前工艺的设定工艺时间；在开启工艺补偿功能的情况下，获取当前工艺所使用靶材的靶材寿命和清洁周期内已完成工艺的晶圆数量；根据设定工艺时间、靶材寿命和清洁周期内已完成工艺的晶圆数量，确定补偿后的工艺时间，并按照补偿后的工艺时间进行工艺。本发明引入基于清洁周期已完成工艺的晶圆数量的维度，可有效覆盖部分工艺在执行工艺腔室的周期清洁后，导致晶圆镀膜情况发生变化的情况，通过基于靶材寿命和基于清洁周期内已完成工艺的晶圆数量的双重维度的工艺时间补偿，达到物理气相沉积系统在持续工艺过程中，每片晶圆镀膜保持较高均匀性的效果。

主权项：1.一种用于半导体工艺设备的工艺补偿方法，其特征在于，包括：获取当前工艺的设定工艺时间；在开启工艺补偿功能的情况下，获取所述当前工艺所使用的靶材的靶材寿命信息和半导体工艺设备的清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息；根据所述设定工艺时间、所述靶材寿命信息和所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息，确定补偿后的工艺时间，并按照所述补偿后的工艺时间进行工艺。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体工艺设备的工艺补偿方法和半导体工艺设备

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