申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-14

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936457A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/3213;H01L23/482;H01L23/544

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括相对的第一面和第二面，第一面上具有保护层，第二面上具有器件层，器件层内具有互连层，保护层包括标记区和互连区；形成贯穿互连区和第一晶圆的导电插塞，且导电插塞的一端延伸入器件层内并与互连层连接；在保护层的标记区内形成第一标记开口；在形成第一标记开口之后，在保护层上形成位于标记区上的初始连接层，初始连接层内具有第二标记开口；以第二标记开口作为对准标记，对初始连接层进行图形化，在导电插塞上形成连接层，连接层覆盖部分保护层；能够有效提升最终形成的半导体结构的性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括相对的第一面和第二面，所述第一面上具有保护层，所述第二面上具有器件层，所述器件层内具有互连层，所述保护层包括标记区和互连区；形成贯穿所述互连区和所述第一晶圆的导电插塞，且所述导电插塞的一端延伸入所述器件层内并与所述互连层连接；在所述保护层的标记区内形成第一标记开口；在形成所述第一标记开口之后，在所述保护层上形成位于所述标记区上的初始连接层，所述初始连接层内具有第二标记开口；以所述第二标记开口作为对准标记，对所述初始连接层进行图形化，在所述导电插塞上形成连接层，所述连接层覆盖部分所述保护层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD