申请/专利权人:株式会社日立高新技术
申请日:2019-08-05
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN117936352A
主分类号:H01J37/32
分类号:H01J37/32;H01L21/3065;H05H1/46
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要:提供一种等离子处理装置。等离子处理装置具备:对试样进行等离子处理的处理室;供给用于生成等离子的高频电力的第一高频电源;载置所述试样的试样台;以及向所述试样台供给高频电力的第二高频电源,等离子处理装置还具备:直流电源,其将直流电压施加给所述试样台,所述直流电压通过周期性重复的波形而变化,一个周期的所述波形具有在给定时间变化给定量以上的振幅的期间。由此,能够除去晶片表面的带电粒子而得到垂直性高的沟道形状,此外能够降低沟道内部的并非蚀刻对象的膜的损坏。
主权项:1.一种等离子处理装置,其具备:对试样进行等离子处理的处理室;供给用于生成等离子的高频电力的第一高频电源;具备用于使所述试样静电吸附的膜并载置所述试样的试样台;向所述试样台供给高频电力的第二高频电源;以及向配置于所述膜的内部的电极施加第一直流电压的第一直流电源,所述等离子处理装置的特征在于,还具备:第二直流电源,其使第二直流电压与所述第一直流电压重叠,所述第二直流电压根据周期性重复的波形而变化,一个周期的所述波形具有在给定时间变化给定量以上的振幅的期间。
全文数据:
权利要求:
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