申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2024-02-19

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117930601A

主分类号：G03F9/00

分类号：G03F9/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本申请提供一种对位方法，通过对零层对位标记的原始理论坐标分别进行给大、给小以得到多组可对比参考的偏移理论坐标，利用多种光源分别对原始理论坐标以及偏移理论坐标对应的对位标记图形进行曝光以得到2n+1个当层对位标记，通过所有当层对位标记与零层对位标记的横向、纵向的OVL偏移实际量测值、理论值的线性拟合得到各自的拟合曲线以及相关系数，再通过相关系数选取最佳对位光源，最后利用所述最佳对位光源，对待对位的晶圆进行曝光对位，解决了多种对位光源中无法判断哪种光源的对位效果最佳以及稳定性最好的问题。

主权项：1.一种对位方法，其特征在于，包括：步骤一：提供一晶圆，所述晶圆上形成有零层对位标记；步骤二：获取所述零层对位标记的原始理论坐标；步骤三：对所述原始理论坐标分别进行给大、给小的偏移处理，以对应得到2n个偏移理论坐标，其中，n为大于或者等于1的整数；步骤四：提供m种光源，使用m种光源中的一种光源，以及利用分别形成有所述原始理论坐标和所述偏移理论坐标所对应的对位标记的光罩，在所述晶圆的当层上分别进行曝光以得到2n+1个当层对位标记，其中，m为大于或者等于2的整数；步骤五：对2n+1个所述当层对位标记和所述零层对位标记分别进行OVL量测，以得到2n+1个横向偏移实际量测值和2n+1个纵向偏移实际量测值；步骤六：对横向偏移理论值和所述横向偏移实际量测值进行线性拟合以得到一横向拟合曲线，以及对纵向偏移理论值和所述纵向偏移实际量测值进行线性拟合以得到一纵向拟合曲线；步骤七：循环执行第四步骤至第六步骤共m次，其中，每次循环过程中，所述第四步骤使用m种光源中不同的光源，以得到m条横向拟合曲线和m条纵向拟合曲线；步骤八：分别获取m条横向拟合曲线的相关系数，以及分别获取m条纵向拟合曲线的相关系数；步骤九：判断横向拟合曲线的相关系数最大对应的光源和纵向拟合曲线的相关系数最大对应的光源是否是同一光源；步骤十：若横向拟合曲线的相关系数最大对应的光源和纵向拟合曲线的相关系数最大对应的光源是同一光源，则选取相关系数最大对应的光源作为最佳对位光源；步骤十一：利用所述最佳对位光源，对待对位的晶圆进行曝光对位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 对位方法

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