申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2022-09-04

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117941493A

主分类号：H10N70/00

分类号：H10N70/00;H10B61/00;H10B63/10

优先权：["20210907 US 63/260,946"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：可以通过以下方式蚀刻硫族化物材料层：将具有硫族化物材料层的晶片提供给处理室，将晶片加热到第一温度，在晶片处于第一温度时通过使包含氟化物或氯化物的第一化学物质流动到晶片上来改性硫族化物材料层的表面以产生硫族化物材料的改性层，并且在不使用等离子体的情况下，通过使第二化学物质流动到晶片上来去除硫族化物材料的改性层，所述第二化学物质包括具有中心原子铝、硼、硅或锗且具有至少一个氯原子的化合物。

主权项：1.一种方法，其包括：向处理室提供晶片，所述晶片具有硫族化物材料层；将所述晶片加热至第一温度；以及通过以下方式蚀刻所述硫族化物材料层：当所述晶片处于所述第一温度时，使包括氟化物或氯化物的第一化学物质流到所述晶片上来改性所述硫族化物材料层的表面以产生硫族化物材料的改性层，并且在不使用等离子体的情况下，使第二化学物质流到所述晶片上来去除所述硫族化物材料的改性层，所述第二化学物质包括具有中心原子铝、硼、硅或锗且具有至少一个氯原子的化合物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 用于加工硫族化物的技术和装置

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