申请/专利权人：西安理工大学

申请日：2024-03-25

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117926213A

主分类号：C23C16/26

分类号：C23C16/26;C23C14/06;C23C14/35;C23C16/511

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了基于电子回旋共振等离子体的含氟碳膜制备方法，具体包括如下过程：步骤1，将电子回旋共振等离子体加工系统内部抽真空后同时通入氩气和碳氟气体；步骤2，在磁场和微波的作用下，使电子回旋共振等离子体加工系统内部发生电子回旋共振，从而激发电子回旋共振等离子体加工系统内部的氩气和碳氟气体产生等离子体粒子；步骤3，向位于电子回旋共振等离子体加工系统内部的石墨靶材施加靶材偏压，吸引等离子体粒子轰击石墨靶材制备含氟碳膜。本发明解决了现有电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法在制备含氟碳膜时存在的制备成本高、安全隐患大且制备的含氟碳膜摩擦磨损性能差的问题。

主权项：1.基于电子回旋共振等离子体的含氟碳膜制备方法，其特征在于：具体包括如下过程：步骤1，将电子回旋共振等离子体加工系统内部抽真空后同时通入氩气和碳氟气体；步骤2，在磁场和微波（1）的作用下，使电子回旋共振等离子体加工系统内部发生电子回旋共振，从而激发电子回旋共振等离子体加工系统内部的氩气和碳氟气体产生等离子体粒子（18）；步骤3，向位于电子回旋共振等离子体加工系统内部的石墨靶材施加靶材偏压，吸引等离子体粒子（18）轰击石墨靶材制备含氟碳膜（16）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安理工大学 基于电子回旋共振等离子体的含氟碳膜制备方法

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