申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司

申请日：2022-10-17

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936345A

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种等离子体约束装置及其等离子体处理装置，该等离子体约束装置包含多个环绕所述下电极组件依次排列的间隔件，所述间隔件呈环状，各个间隔件之间形成气体通道，所述间隔件包含一朝向所述下电极组件设置的内侧面和一顶面，至少一个间隔件的顶面包含一朝向所述下电极组件设置的反射面，所述反射面上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面上所有位置到所述下电极组件中心轴的距离。其优点是：该等离子体约束装置通过在其间隔件上设置反射面，有效地降低了等离子体湮灭所需的间隔件的高度，同时其还有效地提升了真空抽取装置对腔内气压的控制精度，实现了各工艺条件的协同最优调节，有助于保证晶圆的加工处理效果。

主权项：1.一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置，所述等离子体处理装置包括真空反应腔，所述真空反应腔内设置有下电极组件，其特征在于，所述等离子体约束装置设置于所述真空反应腔的腔体侧壁和所述下电极组件之间，所述等离子体约束装置包含多个环绕所述下电极组件依次排列的间隔件，所述间隔件呈环状，各个间隔件之间形成气体通道，所述间隔件包含一朝向所述下电极组件设置的内侧面和一顶面，至少一个间隔件的顶面包含一朝向所述下电极组件设置的反射面，所述反射面上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面上所有位置到所述下电极组件中心轴的距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体约束装置及其等离子体处理装置

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