申请/专利权人:安徽格恩半导体有限公司
申请日:2024-01-05
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN117937246A
主分类号:H01S5/34
分类号:H01S5/34
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要:本发明公开了一种具有量子霍尔电导层的半导体激光器,具体涉及半导体光电器件的技术领域。该具有量子霍尔电导层的半导体激光器,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层,有源层、上波导层、上限制层,所述上限制层与上波导层之间设置有量子霍尔电导层,所述量子霍尔电导层在上限制层与上波导层界面进行电子重构,形成拓扑边缘态极化界面;该具有量子霍尔电导层的半导体激光器,降低紫外发光元件的阈值电流并提升斜率效率,增强泡利极限,提升量子霍尔电导,降低价带带阶,进一步提升空穴迁移速度和降低电子迁移速度,降低激光元件的激发阈值并提升斜率效率,降低激光器件的能耗、提高效率和延长寿命。
主权项:1.一种具有量子霍尔电导层的半导体激光器,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层,有源层、上波导层、上限制层,其特征在于,所述上限制层与上波导层之间设置有量子霍尔电导层,所述量子霍尔电导层在上限制层与上波导层界面进行电子重构,形成拓扑边缘态极化界面。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 安徽格恩半导体有限公司 一种具有量子霍尔电导层的半导体激光器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。