申请/专利权人：成都华兴大地科技有限公司

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117937121A

主分类号：H01Q21/00

分类号：H01Q21/00;H01Q1/36;H01Q1/50

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了可重构相控阵天线技术领域的一种串联供电的极化可重构天线，包括第一本体，第一本体包括第一介质基板、第二介质基板和第三介质基板；第一介质基板顶部设有辐射贴片，第二介质基板上设有十字形的异层耦合缝隙，异层耦合缝隙内均分别设有两个并联的PIN二极管和电容；异层耦合缝隙将第二基质基板分隔为第一象限、第二象限、第三象限和第四象限，第一象限处设有通槽；第三介质基板上设有馈线，馈线位于异层耦合缝隙下方，且馈线连接有馈电端口；第三介质基板还设有直流偏压线。本发明结构简单，通过用串联供电的方式给所有PIN二极管直流供电，直流供电线路集成在天线的内部，不占用天线的表面空间。

主权项：1.一种串联供电的极化可重构天线，其特征在于：包括第一本体，第一本体包括从上至下的第一介质基板、第二介质基板和第三介质基板；第二介质基板和第三介质基板一体压合加工而成，第一介质基板焊接于第二介质基板顶部；第一介质基板顶部设有辐射贴片，第二介质基板上设有十字形的异层耦合缝隙，异层耦合缝隙内均分别设有两个并联的PIN二极管和电容，PIN二极管均位于异层耦合槽中心处，且两个PIN二极管和电容均呈阵列分布；异层耦合缝隙将第二基质基板分隔为第一象限、第二象限、第三象限和第四象限，第一象限处设有通槽；第三介质基板上设有馈线，馈线位于异层耦合缝隙下方，且馈线连接有馈电端口，馈电端口位于第一象限的通槽下方；第三介质基板还设有呈直角且位于第一象限、第四象限和第三象限下方的直流偏压线，直流偏压线的两端部分别位于第一象限和第三象限下方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都华兴大地科技有限公司 一种串联供电的极化可重构天线

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