申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936386A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L21/308;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本公开提供了一种先刻蚀器件有源区的垂直器件制造方法，可以应用于半导体技术领域。该方法包括：在衬底上依次设置第一源漏限定层、沟道限定层、第二源漏限定层的叠层；在叠层上设置掩模层；在叠层上设置图案化的光刻胶，图案化的光刻胶显露第一区域；基于图案化的光刻胶，在第一区域中将叠层刻蚀第一深度；以及基于掩模层，在第一区域以及第一区域内侧的第二区域中，进一步将叠层刻蚀第二深度，其中，在第一区域中，叠层被刻穿从而形成隔离沟槽。

主权项：1.一种先刻蚀器件有源区的垂直器件制造方法，包括：在衬底上依次设置第一源漏限定层、沟道限定层、第二源漏限定层的叠层；在所述叠层上设置掩模层；在所述叠层上设置图案化的光刻胶，所述图案化的光刻胶显露第一区域；基于所述图案化的光刻胶，在所述第一区域中将所述叠层刻蚀第一深度；以及基于所述掩模层，在所述第一区域以及所述第一区域内侧的第二区域中，进一步将所述叠层刻蚀第二深度，其中，在所述第一区域中，所述叠层被刻穿从而形成隔离沟槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 一种先刻蚀器件有源区的垂直器件制造方法

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