申请/专利权人：中国矿业大学(北京)

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117930091A

主分类号：G01R33/00

分类号：G01R33/00;G01R33/12

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.26#公开

摘要：本申请提供了一种基于磁环自升温的磁特性测量装置，所述测量装置加装在磁环上，用于对磁环分别进行自升温、去磁、磁特性测量，包括高频激励电路、低频去磁电路、磁特性测量电路。所述测量装置对磁环施加高频低磁密交流激励，由磁环产生涡流损耗自热升温；当热电阻传感器检测到磁环温度超过测试温度一定温度时，由温度控制器控制接触器断开高频激励电路，导通低频去磁电路对磁环进行去磁处理；在磁环温度降低到测试温度时，关断低频去磁电路，并结合环形样件测试法，对磁环进行给定温度下的磁特性测量。本申请能够精准控制磁环的升温时间，在磁环的指定工作温度下测量磁特性，提高磁特性测量的准确度。

主权项：1.一种基于磁环自升温的磁特性测量装置，其特征在于，所述测量装置加装在磁环上，用于对所述磁环分别进行自升温、去磁、磁特性测量，包括高频激励电路、低频去磁电路、磁特性测量电路；所述高频激励电路包括：可调直流电源A1、高频逆变电路、接触器A1、温度控制器A1、热电阻传感器A1、绕组A；其中，所述接触器A1用于通断所述高频逆变电路，所述接触器A1常闭，导通所述高频逆变电路；所述高频逆变电路与所述可调直流电源A1连接，用于产生高频低磁密交流激励；绕组A环绕在所述磁环上，并与所述高频逆变电路连接，用于对所述磁环施加所述高频低磁密交流激励，使所述磁环产生涡流损耗自热升温；所述热电阻传感器A1安装在所述磁环上，并与所述温度控制器A1连接，用于采集所述磁环的第一磁环温度，并将所述第一磁环温度发送给所述温度控制器A1；若所述第一磁环温度大于预设温度阈值，则所述温度控制器A1控制所述接触器A1常开，断开所述高频逆变电路；所述预设温度阈值大于所述磁环的测试温度；所述低频去磁电路包括：可调直流电源A2、低频逆变电路、接触器A2、温度控制器A2、热电阻传感器A2、所述绕组A；其中，所述接触器A2用于通断所述低频逆变电路，所述接触器A2常闭，导通所述低频逆变电路；所述低频逆变电路与所述可调直流电源A2连接，用于产生低频交流方波；绕组A环绕在所述磁环上，并与所述低频逆变电路连接，用于在所述低频交流方波的作用下对所述磁环去磁；所述热电阻传感器A2安装在所述磁环上，并与所述温度控制器A2连接，用于采集所述磁环的第二磁环温度，并将所述第二磁环温度发送给所述温度控制器A2；若所述第二磁环温度等于所述测试温度，则所述温度控制器A2控制所述接触器A2常开，断开所述低频逆变电路，导通所述磁特性测量电路；所述磁特性测量电路包括信号发生器、功率放大器、精密电阻、数字采样器、绕组B、绕组C；其中，所述信号发生器与所述功率放大器相连接；所述绕组B环绕在所述磁环上，串联所述精密电阻后与所述功率放大器相连接；所述数字采样器与所述精密电阻并联；所述绕组C环绕在所述磁环上，并与所述数字采样器相连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国矿业大学(北京) 一种基于磁环自升温的磁特性测量装置

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