申请/专利权人：浙江大学杭州国际科创中心

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117929702A

主分类号：G01N33/487

分类号：G01N33/487;G01N27/414;G01N27/403

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种基于延展栅MOSFET的细胞膜电位传感器及其应用，涉及传感器领域。本发明传感器具有以下优点：1灵敏度高，加入体接触电极调制阈值电压，增强了对电阻对细胞膜电位的敏感度；2器件尺寸小，CMOS等比例微缩技术同样适用于细胞膜电位传感器的制备，有利于更新迭代；3与集成电路制造工艺兼容，能够采用目前广泛使用的半导体工艺在芯片制造的同时进行传感器的集成；4初始电阻可调范围大，可以充分适应后续读出电路的设计。因此基于延展栅MOSFET制备的细胞膜电位传感器具有广阔的应用前景。

主权项：1.一种基于延展栅MOSFET的细胞膜电位传感器，其特征在于，包括衬底，衬底上设有体扩散区、源扩散区和漏扩散区，所述源扩散区和漏扩散区之间形成氧化层，氧化层表面形成栅极金属电极，所述细胞膜电位传感器还包括从所述栅极金属电极引出的延展栅金属电极，检测时，所述延展栅金属电极用于放置待检测的细胞。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学杭州国际科创中心 一种基于延展栅MOSFET的细胞膜电位传感器及其应用

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