申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2024-02-01

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117924689A

主分类号：C08G65/40

分类号：C08G65/40;C08J5/18;C08L71/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种高强度高结晶度低热膨胀系数聚芳醚腈薄膜的制备方法，属于特种高分子材料合成及加工工艺技术领域。本发明采用亲核取代缩聚反应合成高分子量的结晶型聚芳醚腈，然后将得到的聚芳醚腈粉末通过溶液流延法程序升温制备得到高强度高结晶度低热膨胀系数聚芳醚腈薄膜。本发明通过严格控制反应过程中加入的N‑甲基吡咯烷酮的量，保证了反应物之间的有效碰撞，最终制得了高分子量和高结晶程度的聚芳醚腈；随着反应液温度的上升，出现析出现象时，通过向反应液中加入N‑甲基吡咯烷酮以及调整搅拌杆位置的方式，使析出的晶体溶解于反应液中，反应持续进行的同时保证了分子量的提升。

主权项：1.一种高强度高结晶度低热膨胀系数聚芳醚腈薄膜，其特征在于，所述聚芳醚腈的结构式为： 其中，m＝200～475，n＝20～25，n：m＝1：8～24。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 高强度高结晶度低热膨胀系数聚芳醚腈薄膜的制备方法

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