申请/专利权人：北京大学

申请日：2024-02-08

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936462A

主分类号：H01L21/8238

分类号：H01L21/8238;H01L27/092

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：提供一衬底；在顶部衬底的第一区域中沉积第一半导体材料，以形成相对设置的心轴结构；在心轴结构的内侧沉积第二半导体材料，以形成相对设置的侧墙结构；以心轴结构和侧墙结构为掩模，刻蚀衬底，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积介质材料，以形成介质叉板结构；去除心轴结构，并以侧墙结构和介质叉板结构为掩模，依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成正面有源结构、第一中间牺牲层和背面有源结构；基于正面有源结构和背面有源结构，形成正面晶体管和背面晶体管。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。

主权项：1.一种堆叠叉板晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底包括依次堆叠设置的顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底；在所述顶部衬底的第一区域中沉积第一半导体材料，以形成相对设置的一对心轴结构；所述第一区域位于所述顶部衬底远离所述底部衬底的表面上，并设置在所述顶部衬底的两端；在所述一对心轴结构的内侧沉积第二半导体材料，以形成相对设置的一对侧墙结构；所述一对侧墙结构中间具有间隔；以所述心轴结构和所述侧墙结构为掩模，刻蚀所述衬底，以形成第一凹槽；在所述第一凹槽中沉积介质材料，以形成介质叉板结构；去除所述心轴结构，并以所述侧墙结构和所述介质叉板结构为掩模，刻蚀所述衬底，以形成正面有源结构和背面有源结构；所述正面有源结构沿第一方向对称设置在所述介质叉板结构的两侧，所述背面有源结构沿所述第一方向对称设置在所述介质叉板结构的两侧，所述第一方向为垂直于所述衬底的方向；基于所述正面有源结构和所述背面有源结构，分别形成第一堆叠晶体管和第二堆叠晶体管；其中，所述第一堆叠晶体管和所述第二堆叠晶体管沿所述第一方向对称设置在所述介质叉板结构的两侧，所述第一堆叠晶体管包括在所述第一方向上自对准的第一正面晶体管和第一背面晶体管，所述第二堆叠晶体管包括在所述第一方向上自对准的第二正面晶体管和第二背面晶体管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件

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