申请/专利权人：吉布尔·施密德有限责任公司

申请日：2022-09-08

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117941473A

主分类号：H05K3/04

分类号：H05K3/04;H05K3/00;H05K3/10

优先权：["20210908 DE 102021209939.4"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：为了制造具有金属的导体结构的电路板，提供构造成膜或板的基础基质，该基础基质具有第一基质侧和第二基质侧，该基础基质至少部分地由不导电的有机聚合材料构成。在利用抗蚀剂覆盖第一基质侧之后，局部地去除抗蚀剂，从而将第一基质侧分割成至少一个第一部分区域和至少一个第二部分区域，在所述至少一个第一部分区域中第一基质侧还被抗蚀剂覆盖，在所述至少一个第二部分区域中第一基质侧没有抗蚀剂。在局部地去除在所述至少一个第二部分区域中的抗蚀剂之后，利用等离子体作用第一基质侧，借助于等离子体，在形成至少一个凹部的情况下，蚀去在所述至少一个第二部分区域中的聚合材料。在第一基质侧上进行金属化，并且在排除可能在第一部分区域中存在的金属化的情况下并且在保持所形成的至少一个凹部的情况下，使第一基质侧平坦化。

主权项：1.一种用于制造具有金属的导体结构101的电路板100的方法，其具有步骤：a.提供构造成膜或板的基础基质102，所述基础基质具有第一基质侧102a和第二基质侧，所述基础基质至少部分地由不导电的有机聚合材料构成，b.利用抗蚀剂103覆盖所述第一基质侧，c.局部地去除所述抗蚀剂103，从而将所述第一基质侧102a分割成至少一个第一部分区域102b和至少一个第二部分区域102c，在所述至少一个第一部分区域中所述第一基质侧102a还被所述抗蚀剂103覆盖，在所述至少一个第二部分区域中所述第一基质侧102a没有所述抗蚀剂103，d.在所述局部地去除在所述至少一个第二部分区域102c中的抗蚀剂103之后，利用等离子体作用所述第一基质侧102a，借助于所述等离子体，在形成至少一个长形的、通道式的凹部104的情况下，蚀去在所述至少一个第二部分区域102c中的聚合材料，e.在所述第一基质侧102a上施加金属化105，以及f.必要时在排除在所述第一部分区域102b中的金属化105的情况下，并且在保持所形成的至少一个长形的、通道式的凹部104的情况下，使所述第一基质侧102a平坦化，其中g.所述抗蚀剂103是光致抗蚀剂，或者是由能借助于激光去除的聚合材料制成的抗蚀剂，h.通过在步骤d.中的等离子体处理，完全或至少几乎完全蚀去在所述第一部分区域102b中的抗蚀剂103，并且i.以这样的厚度在所述第一基质侧上施加所述抗蚀剂103，即，所述厚度保证，在所述第一部分区域102b中由于所述等离子体导致所述第一基质侧显著被蚀去之前，在步骤d.中达到所述长形的、通道式的凹部104的期望深度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 吉布尔·施密德有限责任公司 用于制造电路板的方法以及电路板

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