申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936519A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;G01R31/26;G01R19/145;H01L21/66;G11C29/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提供了一种半导体测试结构及其测试方法，其中半导体测试结构包括多个测试单元，且多个测试单元电性连接并形成测试阵列，其中测试单元包括：多个反相器，反相器的第一端电性连接于第一电源，反相器的第二端电性连接于第二电源；以及多个传输晶体管，传输晶体管的漏极端电性连接于位线，传输晶体管的源极端电性连接于反相器的驱动端，且传输晶体管的驱动端电性连接于字线，其中字线和第二电源的逻辑电平相同；其中，第一电源的预充逻辑电平为低逻辑电平，第二电源的预充逻辑电平为高逻辑电平。本发明提供了一种半导体测试结构及其测试方法，能够提升半导体漏电流测试的准确性。

主权项：1.一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括多个测试单元，且多个所述测试单元电性连接并形成测试阵列，其中所述测试单元包括：多个反相器，所述反相器的第一端电性连接于第一电源，所述反相器的第二端电性连接于第二电源；以及多个传输晶体管，所述传输晶体管的漏极端电性连接于位线，所述传输晶体管的源极端电性连接于所述反相器的驱动端，且所述传输晶体管的驱动端电性连接于字线，其中所述字线和所述第二电源的逻辑电平相同；其中，所述第一电源的预充逻辑电平为低逻辑电平，所述第二电源的预充逻辑电平为高逻辑电平。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种半导体测试结构及其测试方法

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