申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117921517A

主分类号：B24B29/02

分类号：B24B29/02;B24B37/04;C09G1/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明涉及一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液及其使用方法，所属硅片加工技术领域，如下操作步骤：第一步：采用溶胶凝胶法制备出的高活性硅溶胶作为磨料成分。第二步：配比抛液，抛液由PH调节剂、磨料、氧化剂、表面活性剂和润滑剂组成，FAO作为表面活性剂添加。第三步：抛布由纱线编织为抛布中心层和抛布表层，抛布表层材料生产时加入羟乙基纤维素和CMC类丝状物质。第四步：硅片进行CMP反应过程，由抛液中的碱、有机物与硅片反应，生成硬度较单晶硅更低的结合产物。第五步：抛液中的磨料在抛布与硅片的相对运动中机械去除这层反应层。具有省时省力、抛光效果好和运行稳定性高的优点。利于控制硅片去除形貌，使得产品平坦度更佳。

主权项：1.一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：采用溶胶凝胶法制备出的高活性硅溶胶作为磨料成分；第二步：配比抛液，抛液由PH调节剂、磨料、氧化剂、表面活性剂和润滑剂组成，FAO作为表面活性剂添加；第三步：抛布由纱线编织为抛布中心层和抛布表层，抛布表层材料生产时加入羟乙基纤维素和CMC类丝状物质；第四步：硅片进行CMP反应过程，由抛液中的碱、有机物与硅片反应，生成硬度较单晶硅更低的结合产物；第五步：抛液中的磨料在抛布与硅片的相对运动中机械去除这层反应层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液及其使用方法

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