申请/专利权人：东北大学秦皇岛分校

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936646A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/58;H01L31/032

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明涉及一种贫铜富硒能带可控的铜铟镓硒薄膜及其制备方法，属于CIGS薄膜太阳能电池材料的制备技术领域。本发明采用了单靶溅射法，使用了高效安全的固态硒源硒化装置，所选靶材为1号靶材和2号靶材，通过磁控溅射方法，采用CuInGaSe四元靶材探究以得出较好的工艺参数范围和最佳工艺参数，结合少量硒粉硒化工艺实现薄膜厚度方向Cu、Se元素的梯度分布进而构筑出特定微型能带结构，并且使用了变靶材成分和变溅射功率两种方式来实现CIGS吸收层能带调控。所制得的CIGS薄膜晶粒尺寸大，表面平整致密，呈富铜贫硒的元素比例状态；方块电阻小，载流子迁移率大，载流子浓度大，吸光性好，光电性能优良。

主权项：1.一种贫铜富硒能带可控的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：所选靶材为1号靶材和2号靶材，通过磁控溅射方法制备CIGS预制膜，采用CuInGaSe四元靶材探究以得出工艺参数，分别利用变靶材成分和变溅射功率两种方法，结合硒化工艺实现薄膜厚度方向Cu、Se元素的梯度分布而进构筑出贫铜富硒能带可控的铜铟镓硒薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东北大学秦皇岛分校 一种贫铜富硒能带可控的铜铟镓硒薄膜及其制备方法

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