申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司

申请日：2022-10-14

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936445A

主分类号：H01L21/683

分类号：H01L21/683;H01J37/32

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种静电吸盘，设置在等离子体反应腔的基座上方，包括：介质层，其内设置有吸附电极，用于在工艺过程中吸附所述介质层上表面放置的基片；位于所述介质层和所述基座之间的功能层，所述功能层为绝缘材质，其内设置有电气部件；所述功能层中还设有电容部件，该电容部件的一端与功能层上方的上金属表面电气连接，另一端与功能层下方的下金属表面电气连接；其中，所述电容部件电容值大于所述功能层上下表面形成的等效电容值，使射频信号经过所述电容部件的阻抗小于经过所述功能层的阻抗。本发明增大了静电吸盘的电容，降低了射频信号经过静电吸盘的阻抗，降低了电抗对静电吸盘几何结构的依赖，降低了制造工艺难度。

主权项：1.一种静电吸盘，设置在等离子体反应腔的基座上方，其特征在于，包括：介质层，其内设置有吸附电极，用于在工艺过程中吸附所述介质层上表面放置的基片；位于所述介质层和所述基座之间的功能层，所述功能层为绝缘材质，其内设置有电气部件；所述功能层中还设有电容部件，该电容部件的一端与功能层上方的上金属表面电气连接，另一端与功能层下方的下金属表面电气连接；其中，所述电容部件电容值大于所述功能层上下表面形成的等效电容值，使射频信号经过所述电容部件的阻抗小于经过所述功能层的阻抗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种静电吸盘及等离子体处理装置

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