申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2021-09-08

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117941040A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/737

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、射频电路，涉及半导体技术领域，旨在提供一种工艺相对简单并具有较大潜力实现高性能的SiGeHBT器件结构。半导体结构包括：衬底，包括埋藏于衬底内的集电区；本征基区，设置在衬底的表面，与集电区在衬底的表面接触；外基区，设置在衬底的表面，位于本征基区的外围，与本征基区接触；辅助层，具有开口；辅助层设置在外基区上；发射区，设置在辅助层上，通过开口与本征基区接触；内侧墙，设置在外基区与发射区之间。

主权项：一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，包括埋藏于所述衬底内的集电区；本征基区，设置在所述衬底的表面，与所述集电区在所述衬底的表面接触；外基区，设置在所述衬底的表面，位于所述本征基区的外围，与所述本征基区接触；辅助层，具有开口；所述辅助层设置在所述外基区上；发射区，设置在所述辅助层上，通过所述开口与所述本征基区接触；内侧墙，设置在所述外基区与所述发射区之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 半导体结构及其制备方法、射频电路

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