申请/专利权人：重庆大学

申请日：2024-01-25

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117937899A

主分类号：H02M1/00

分类号：H02M1/00;H05K5/06;H05K7/14;H02M1/34

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明涉及一种集成缓冲吸收电路的功率模块，属于电子器件领域。包括：封装壳体、功率模块主体以及缓冲吸收电路；功率模块主体包括DBC基板组件、端子、键合线、上桥臂MOSFET组和下桥臂MOSFET组；缓冲吸收电路包括二极管和可键合硅片阻容芯片，二者串联起来，通过键合线连接于上下桥臂MOSFET组的漏极DBC金属层与栅极金属层之间，上下桥臂的两个芯片均匀的分布在缓冲吸收电路的两端。本发明还公开了一种内置缓冲吸收电路的功率模块的制作方法。所述内置缓冲吸收电路的功率模块及其制作方法有效解决了现有功率模块在大电流工作时会产生严重的电压过冲与振铃，危害MOSFET工作电压安全裕量，增加介质击穿风险的问题。

主权项：1.集成缓冲吸收电路的功率模块，其特征在于：包括半桥电路、缓冲吸收电路、DBC基板、封装壳体、键合线和端子；所述半桥电路，包括上半桥臂和下半桥臂，上半桥臂和下半桥臂分别包含两颗碳化硅MOSFET芯片；试试上半桥臂和下半桥臂在连接上互为对称；所有上半桥臂的碳化硅MOSFET芯片的漏极连接于一点，引出DC+功率端子；所有上半桥臂的碳化硅MOSFET芯片的源极连接在一起，引出AC功率端子；所有下半桥臂的碳化硅MOSFET芯片的源极连接在一起，引出DC-功率端子；上半桥臂和下半桥臂的所有碳化硅MOSFET芯片的开尔文源极连接于各桥臂的开尔文源极母排，引出各桥臂的开尔文源极端子；上半桥臂和下半桥臂的所有碳化硅MOSFET芯片的栅极连接于各桥臂的栅极母排，引出各桥臂的栅极端子；所述DBC基板，包括陶瓷层及上覆金属层、下覆金属层；碳化硅MOSFET芯片和缓冲吸收电路设置于DBC上覆金属层上；所述缓冲吸收电路设置于单独的金属铜层上，通过键合线分别连接到各桥臂MOSFET组的漏极DBC金属层和栅极金属层表面；DC+功率端子、AC功率端子和DC-功率端子由四个金属铜柱组成；上半桥臂和下半桥臂的栅极端子和开尔文源极端子由一个金属铜柱组成；上半桥臂和下半桥臂分别设置有缓冲吸收电路，缓冲吸收电路包括二极管和可键合硅片阻容芯片，二极管和可键合硅片阻容芯片串联；半桥电路、缓冲吸收电路、DBC基板、键合线和端子封装在封装壳体内，封装壳体预留有对应通孔使端子背离上覆金属层的一端延伸至封装壳体外；封装壳体上装配有固定端子，用于与散热器连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆大学 集成缓冲吸收电路的功率模块

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