申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-12

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936509A

主分类号：H01L23/522

分类号：H01L23/522;H01L23/64;H10N97/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种电容结构，所述第一电极结构、所述第一极板、所述中间绝缘层、所述第二极板和所述第二电极结构依次层叠于所述衬底上，也就是说，位于所述中间绝缘层下方的第一极板通过更下方的第一电极结构与外部电路相连，即所述第一极板和所述第一电极结构位于所述中间绝缘层的同一侧，所述第一电极结构和所述第一极板之间的连接面积充裕，能够有效降低连接电阻，有利于品质因数Q值的提高。

主权项：1.一种电容结构，其特征在于，包括：第一电极结构，所述第一电极结构位于衬底上，所述第一电极结构包括：多个位于同层的第一金属段；第一极板，所述第一极板位于所述第一电极结构上，所述第一极板与所述第一电极结构相连；中间绝缘层，所述中间绝缘层位于所述第一极板上，所述中间绝缘层的材料为高K介质材料；第二极板，所述第二极板位于所述中间绝缘层上；第二电极结构，所述第二电极结构位于所述第二极板上，所述第二电极结构包括：多个位于同层的第二金属段，所述第二电极结构与所述第二极板相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 电容结构

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