申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-13

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936370A

主分类号：H01L21/033

分类号：H01L21/033

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括第一区和环绕第一区的第二区；在晶圆表面形成初始保护层；去除第一区上的部分初始保护层，在第一区上形成过渡层，所述过渡层的厚度小于初始保护层的厚度；去除第一区上的过渡层和第二区上的部分初始保护层，在第二区上形成保护层；去除第一区上的过渡层之后，在第一区表面形成第一外延层，所述第一外延层在第一区表面的生长速率大于所述第一外延层在保护层表面的生长速率。所述方法形成的晶圆良率提升。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括第一区和环绕第一区的第二区；在晶圆表面形成初始保护层；去除第一区上的部分初始保护层，在第一区上形成过渡层，所述过渡层的厚度小于初始保护层的厚度；去除第一区上的过渡层和第二区上的部分初始保护层，在第二区上形成保护层；去除第一区上的过渡层之后，在第一区表面形成第一外延层，所述第一外延层在第一区表面的生长速率大于所述第一外延层在保护层表面的生长速率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD