申请/专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

申请日：2023-11-01

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936539A

主分类号：H01L27/08

分类号：H01L27/08;H10N97/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明的实施例公开了一种电阻阵列结构，包括多个多晶硅层，多个第一金属层，多个第二金属层和多个第三金属层；电阻阵列结构中的每个电阻由多个多晶硅层进行电连接组成，组成同一电阻的相邻两个多晶硅层之间通过一个匹配单元进行电连接，同一匹配单元中的不同匹配路径的电阻阻抗相等；本发明的每个多晶硅层上的第一金属层连接一特定的调制电位，达到稳定多晶硅电阻阻值的目的；电阻阵列结构还设置有第二悬空金属层和第三悬空金属层，可以保证各个多晶硅层上方的金属层保持一致，组成各个电阻的多晶硅层的温度梯度分布均匀。

主权项：1.一种电阻阵列结构，其特征在于：包括多个相互平行设置的多晶硅层，多个相互平行设置的第一金属层，多个相互平行设置的第二金属层和多个相互平行设置的第三金属层；所述多晶硅层排布在至少一排；各个所述多晶硅层长度相等，且以相同的间隔进行排布；所述第一金属层层叠于所述多晶硅层的上方；所述第二金属层层叠于所述第一金属层的上方；所述第三金属层层叠于所述第二金属层上方；所述多晶硅层、所述第一金属层和所述第三金属层的延伸方向相同，所述第二金属层的延伸方向与所述多晶硅层的延伸方向垂直；所述电阻阵列结构包括多个电阻，每个电阻由多个所述多晶硅层进行电连接组成，组成同一电阻的相邻两个多晶硅层之间通过一个匹配单元中的一个匹配路径进行电连接；每个所述匹配单元包括与电阻数量相等的所述匹配路径；每个所述匹配路径包括端部进行电连接的第二匹配金属层和第三匹配金属层；其中，所述第二匹配金属层为所述第二金属层中组成匹配单元的第二金属层，所述第三匹配金属层为所述第三金属层中组成匹配单元的第三金属层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种电阻阵列结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD