申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2019-07-15

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN111725308B

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/06

优先权：["20190318 JP 2019-050052"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2020.10.27#实质审查的生效;2020.09.29#公开

摘要：一种半导体装置，具备：半导体部，包含第一导电型的第一层，具有第一面及相反侧的第二面；第一面上的第一电极；设置在第一电极与半导体部间的第一控制电极；设置在第一电极与半导体部间、与第一控制电极独立地被施加偏压的第二控制电极；设置在第二面侧的第三控制电极；设置在第二面上的第二电极。半导体部包含：选择性地设置在第一层与第一电极间的第二导电型的第二层；选择性地设置在第二层与第一电极间的第一导电型的第三层；设置在第二电极及第三控制电极与第一层间的第一导电型的第四层；设置在第四层与第二电极间的第二导电型的第五层；至少一部分设置在第五层与第二电极间的第一导电型的第六层。第三控制电极与第五层的一部分相对。

主权项：1.一种半导体装置，具备：半导体部，包含第一导电型的第一半导体层，且具有第一面和位于上述第一面的相反侧的第二面；第一电极，设置在上述第一面上；第一控制电极，设置在上述第一电极与上述半导体部之间，隔着第一绝缘膜而相对于上述半导体部被电绝缘，且隔着第二绝缘膜而相对于上述第一电极被电绝缘；第二控制电极，设置在上述第一电极与上述半导体部之间，隔着第三绝缘膜而相对于上述半导体部被电绝缘，且隔着第四绝缘膜而相对于上述第一电极被电绝缘，且与上述第一控制电极相独立地被施加偏压；第三控制电极，设置在上述第二面侧，且隔着第五绝缘膜而相对于上述半导体部被电绝缘；以及第二电极，在上述第二面上的未设置有上述第三控制电极的部分与上述半导体部电连接，上述半导体部包含：第二导电型的第二半导体层，选择性地设置在上述第一半导体层与上述第一电极之间；第一导电型的第三半导体层，选择性地设置在上述第二半导体层与上述第一电极之间；第一导电型的第四半导体层，设置在上述第一半导体层与上述第二电极之间以及上述第一半导体层与上述第三控制电极之间，且包含比上述第一半导体层的第一导电型杂质高浓度的第一导电型杂质；第二导电型的第五半导体层，设置在上述第四半导体层与上述第二电极之间；以及第一导电型的第六半导体层，至少一部分设置在上述第五半导体层与上述第二电极之间，上述第一控制电极配置成隔着上述第一绝缘膜而与上述第二半导体层的一部分相对，上述第二控制电极配置成隔着上述第三绝缘膜而与上述第二半导体层的另一部分相对，上述第三控制电极配置成隔着上述第五绝缘膜而与上述第五半导体层的一部分相对。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置

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