申请/专利权人:原子能与替代能源委员会
申请日:2019-12-20
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN111354754B
主分类号:H01L27/146
分类号:H01L27/146
优先权:["20181220 FR 18/73581"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.26#授权;2021.12.31#实质审查的生效;2020.06.30#公开
摘要:本发明涉及一种图像传感器,其包括多个像素,其中每个像素包括:半导体光电检测区域;金属区域,其布置在半导体区域的第一表面上;带通或带阻干涉滤光器,其布置在所述半导体区域的与所述第一表面相对的第二表面上;并且在所述半导体区域和所述金属区域之间,吸收层的一部分由与所述半导体区域的材料不同的材料制成,所述吸收层能够在单个通道中吸收干涉滤光器的通带或阻带的中心波长处的超过30%的入射辐射。
主权项:1.一种图像传感器,包括多个像素400,其中每个像素包括:半导体光电检测区域110;金属区域122,其布置在半导体区域的第一表面上;带通或带阻干涉滤光器160,其布置在所述半导体区域的与所述第一表面相对的第二表面上;并且在所述半导体光电检测区域110和所述金属区域122之间,吸收层410的一部分由与所述半导体区域的材料不同的材料制成,所述吸收层能够在单个通道中吸收干涉滤光器的通带或阻带的中心波长λ0处的超过30%的入射辐射,其中对于中心波长,所述吸收层410的吸收系数大于所述半导体光电检测区域的半导体材料的吸收系数。
全文数据:
权利要求:
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