申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2021-04-16

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN113204180B

主分类号：G03F7/32

分类号：G03F7/32;G03F7/16;H01L21/027

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.08.20#实质审查的生效;2021.08.03#公开

摘要：本申请公开了一种光刻方法，包括：在晶圆上涂布光阻；在光阻上涂布水溶性涂层，水溶性涂层包括水溶性材料，水溶性材料是能够溶解于显影液的材料；进行曝光；进行烘烤，在烘烤过程中产生的杂质掉落于所述水溶性涂层上；进行显影，在显影过程中，通过溶解水溶性涂层将所述杂质去除。本申请通过在光刻工序中，在光阻上涂布能够溶解于显影液水溶性涂层，从而在后续的显影过程中，通过显影液溶解水溶性涂层，从而将杂质从晶圆上去除，解决了相关技术中通过改进设备增加排气量去除杂质所导致的产品质量风险。

主权项：1.一种光刻方法，其特征在于，包括：在晶圆上涂布光阻；在所述光阻上涂布水溶性涂层，所述水溶性涂层包括水溶性材料，所述水溶性材料是能够溶解于显影液的材料，所述水溶性材料包括水溶性物质；进行曝光；进行烘烤，在所述烘烤过程中产生的杂质掉落于所述水溶性涂层上，所述杂质包括在所述烘烤过程中凝结在腔室的盖板上的有机溶剂，所述盖板上具有排气功能；进行显影，在所述显影过程中，通过溶解所述水溶性涂层将所述杂质去除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 光刻方法

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