申请/专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司

申请日：2021-11-29

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114141962B

主分类号：H10K50/11

分类号：H10K50/11;H10K50/15;H10K50/16;H10K71/13;H10K85/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.03.22#实质审查的生效;2022.03.04#公开

摘要：本公开提供了一种膜层制备方法、发光基板及发光装置，膜层制备方法用于在衬底上形成第一功能膜层，包括：在衬底上图案化形成第一初始膜层，第一初始膜层具有导电性能，第一初始膜层包括第一液晶材料，第一液晶材料的熔点大于第一功能膜层的环境温度；将第一初始膜层加热至第一预设温度，以使第一液晶材料呈现为液体状态；将液体状态下的第一液晶材料降温至第二预设温度，以使第一液晶材料呈现为固体状态，得到第一功能膜层；其中，第一预设温度大于第一液晶材料的熔点或清亮点，且小于衬底的可承受温度；第二预设温度小于第一液晶材料的熔点。采用本公开技术方案可以形成表面平整的第一功能膜层。

主权项：1.一种膜层制备方法，其特征在于，用于在衬底上形成第一功能膜层，所述第一功能膜层为发光功能层中的膜层，所述发光功能层位于第一电极和第二电极之间，其中，所述第一电极、所述发光功能层和所述第二电极均位于基底的开口区域内；所述膜层制备方法包括：在所述衬底上图案化形成第一初始膜层，所述第一初始膜层具有导电性能，所述第一初始膜层包括第一液晶材料，所述第一液晶材料的熔点大于所述第一功能膜层的环境温度；将所述第一初始膜层加热至第一预设温度，以使所述第一液晶材料呈现为液体状态；将液体状态下的第一液晶材料降温至第二预设温度，以使所述第一液晶材料呈现为固体状态，得到所述第一功能膜层；所述第一功能膜层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层中的任一者；其中，所述第一预设温度大于所述第一液晶材料的熔点或清亮点，且小于所述衬底的可承受温度；所述第二预设温度小于所述第一液晶材料的熔点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 膜层制备方法、发光基板及发光装置

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