申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-10-15

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN112670179B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.05.04#实质审查的生效;2021.04.16#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的鳍部，与鳍部的延伸方向相垂直的方向为横向；在衬底上形成覆盖部分鳍部侧壁的隔离材料层，隔离材料层露出的鳍部为顶鳍部；在顶鳍部的侧壁上形成保护层；去除部分厚度的隔离材料层，形成隔离层，隔离层覆盖的鳍部为底鳍部；沿横向对保护层和隔离层露出的鳍部侧壁进行减薄处理，形成颈鳍部；形成栅极结构，栅极结构覆盖顶鳍部和颈鳍部的部分顶壁和部分侧壁。本发明实施例，减薄处理得到的颈鳍部的横向尺寸较小，栅极结构底部覆盖的颈鳍部，从而栅极结构底部对颈鳍部具有较强的控制能力，有利于提高半导体结构的电学性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的鳍部，与所述鳍部的延伸方向相垂直的方向为横向，所述鳍部的材料为硅；在所述鳍部露出的所述衬底上形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述鳍部的部分侧壁，所述隔离材料层露出的所述鳍部为顶鳍部；在所述顶鳍部的侧壁上形成保护层，所述保护层的材料为硅；形成所述保护层后，去除部分厚度的所述隔离材料层，形成隔离层；沿所述横向对所述保护层和所述隔离层露出的所述鳍部侧壁进行减薄处理，形成颈鳍部；在对所述保护层和隔离层露出的所述鳍部侧壁进行减薄处理的过程中，所述保护层保护所述顶鳍部的侧壁；减薄处理后，所述顶鳍部的材料为硅；形成所述颈鳍部后，形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述顶鳍部和所述颈鳍部，且所述栅极结构覆盖所述顶鳍部和所述颈鳍部的部分顶壁和部分侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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