申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2021-01-26

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN113571581B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：["20200429 KR 10-2020-0052539"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.03.01#实质审查的生效;2021.10.29#公开

摘要：公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，从第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在第一有源图案上；第一栅电极，设置在第一有源鳍上；以及第一源极漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和第一有源图案上。第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。

主权项：1.一种半导体器件，包括：第一区域和第二区域，分别形成在衬底中；第一有源图案，从所述第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在所述第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在所述第一有源图案上；第一栅电极，设置在所述第一有源鳍上；以及第一源极漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和所述第一有源图案上，其中，所述第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，所述至少一个第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种，所述第一超晶格图案在所述第一有源图案与所述第一有源鳍之间延伸，并且所述第一超晶格图案接触所述第一源极漏极图案的底表面和侧壁的至少一部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括超晶格图案的半导体器件

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