申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2021-01-15

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114078960B

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L23/528;H01L23/48

优先权：["20200819 JP 2020-138686"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.03.11#实质审查的生效;2022.02.22#公开

摘要：实施方式提供一种高耐压以及低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部；所述半导体部的背面上的第一电极；表面上的第二电极；设于所述半导体部的表面侧的第一沟槽的内部的第三电极；位于所述第二电极与所述第三电极之间的控制电极；设于与所述第一沟槽并列的第二沟槽的内部的第2第三电极；以及设于与所述第一及所述第二沟槽并列的第三沟槽的内部的第3第三电极。所述第一沟槽及所述第二沟槽在与沿着所述半导体部的所述表面的第一方向上的各自的端部相连的连接部中彼此相连，所述第三电极及所述第2第三电极以在所述连接部中彼此相连的方式设置。所述第3第三电极沿所述第一方向延伸，比所述第一沟槽及所述第二沟槽各自的所述端部延伸得更长。

主权项：1.一种半导体装置，具备：半导体部；第一电极，设于所述半导体部的背面；第二电极，设于所述半导体部的表面；第三电极，在所述半导体部的所述表面侧设于在沿着所述表面的第一方向上延伸的第一沟槽的内部，位于所述半导体部与所述第二电极之间，通过第一绝缘膜而与所述半导体部电绝缘；控制电极，设于所述第一沟槽的内部，位于所述第二电极与所述第三电极之间，通过第二绝缘膜而与所述半导体部电绝缘，通过第三绝缘膜而与所述第三电极电绝缘，通过第四绝缘膜而与所述第二电极电绝缘；第2第三电极，沿着所述半导体部的所述表面与所述第一沟槽并列，设于沿所述第一方向延伸的第二沟槽的内部，位于所述半导体部与所述第二电极之间，通过第2第一绝缘膜而与所述半导体部电绝缘；以及第3第三电极，沿着所述半导体部的所述表面与所述第一沟槽及所述第二沟槽并列，设于沿所述第一方向延伸的第三沟槽的内部，位于所述半导体部与所述第二电极之间，通过第3第一绝缘膜而与所述半导体部电绝缘，所述半导体部包括第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及所述第一导电型的第三半导体层，所述第一半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述第二半导体层在所述第一半导体层与所述第二电极之间以隔着所述第二绝缘膜而与所述控制电极相对的方式设置，所述第三半导体层在所述第二半导体层与所述第二电极之间，与所述第二绝缘膜相接，并与所述第二电极电连接，所述第二沟槽设于所述第一沟槽与所述第三沟槽之间，所述第一沟槽及所述第二沟槽经由与所述第一方向上的各自的端部相连的连接部而相互连接，所述第三电极及所述第2第三电极以在所述连接部中彼此相连的方式设置，所述第3第三电极在所述第三沟槽的内部沿所述第一方向延伸，比所述第一沟槽及所述第二沟槽各自的所述端部更长地延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置

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