申请/专利权人：深圳市技高美纳米科技有限公司

申请日：2022-01-27

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114438478B

主分类号：C23C16/505

分类号：C23C16/505;C23C16/24;H05K3/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.05.24#实质审查的生效;2022.05.06#公开

摘要：本发明适用于纳米涂层领域，提供了一种硅基纳米涂层的制备方法、硅基纳米涂层和印制电路板组件。该制备方法包括用乙烯基三乙氧基硅烷作为反应气体之一，通过等离子体增强化学气相沉积法在基材表面沉积纳米薄膜，所述等离子体增强化学气相沉积法包括步骤S1和S2，其中，步骤S1中真空度为25‑70mTorr，活性气体流量为80‑200sccm，中频射频电源功率为80‑200W；步骤S2中真空度为10‑30mTorr，乙烯基三乙氧基硅烷气体流量为10‑60sccm，活性气体流量为80‑200sccm中频射频电源功率为80‑200W。本发明通过设置硅基纳米涂层的制备方法中的工艺参数，提高了真空仓室中离子态反应气体的浓度，提高了反应气体的反应速率和反应率，有利于反应气体聚合反应反应充分，降低了制备硅基纳米涂层的成本。

主权项：1.一种硅基纳米涂层的制备方法，该制备方法包括用乙烯基三乙氧基硅烷作为反应气体之一，通过等离子体增强化学气相沉积法在基材表面沉积纳米薄膜，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积法包括以下步骤：S1：将真空仓室抽真空至真空度为25-70mTorr，向所述真空仓室通入流量为80-200sccm的活性气体，所述活性气体为乙烯气，启动中频射频电源，并设定所述中频射频电源功率为80-200W，清洁、活化所述基材；S2：调整所述真空仓室真空度为10-30mTorr，向所述真空仓室通入流量为10-60sccm的所述乙烯基三乙氧基硅烷气体和流量为80-200sccm的活性气体，所述活性气体为乙烯气或氢气，调整所述中频射频电源功率为80-200W，所述基材镀膜制备所述硅基纳米涂层；所述硅基纳米涂层厚度为70-1000nm。

全文数据：

权利要求：

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