申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-12-17

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN112992669B

主分类号：H01L21/308

分类号：H01L21/308

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.07.06#实质审查的生效;2021.06.18#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个分立的核心层，多个核心层之间的最小间距为第二间距，其他间距为第一间距；在具有第二间距的核心层之间形成第二侧墙层；去除第一侧墙层并保留第二侧墙层；在露出的核心层的侧壁上形成第三侧墙层；去除核心层以及第二侧墙层；以第三侧墙层为掩膜刻蚀衬底，形成目标图形。本发明实施例中，核心层和第二侧墙层用于定义第三侧墙层之间的间距，以垂直于核心层侧壁延伸方向为横向，根据工艺需要，改变核心层和第二侧墙层的横向尺寸，可以调整第三侧墙层之间的间距，从而更易形成多样的具有不均匀间距目标图形，进而有利于提高半导体结构的灵活性和普遍适用性。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个分立的核心层，多个所述核心层之间的最小间距为第二间距，其他间距为第一间距；在所述核心层的侧壁上形成第一侧墙层，形成在具有第二间距的所述核心层之间的所述第一侧墙层融合在一起构成第二侧墙层；去除所述第一侧墙层并保留所述第二侧墙层；在露出的所述核心层的侧壁上形成第三侧墙层；去除所述核心层以及第二侧墙层；以所述第三侧墙层为掩膜刻蚀所述衬底，形成具有不均匀间距的目标图形。

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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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