申请/专利权人：TCL华星光电技术有限公司

申请日：2021-11-22

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114086180B

主分类号：C23F1/18

分类号：C23F1/18;C23F1/26;C23F1/24;C09K13/08;C09K13/10;H01L21/77;H01L21/306;H01L21/3213

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.03.15#实质审查的生效;2022.02.25#公开

摘要：一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法，所述蚀刻液包括以下组分：10～20％质量百分比的过氧化氢；0.05～5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～2％质量百分比的氟化物组合物；0.5～5％质量百分比的硅蚀刻助剂；2～10％质量百分比的蚀刻添加剂；以及溶剂。所述蚀刻液对于源漏极层的铜钼、铜钛或铜钼钛金属层有着蚀刻性能优异的效果且成本低，在保持器件高寿命的同时，可以蚀刻半导体层并降低金属残残留，从而降低后续干蚀刻制程带来的问题，甚至可以直接省去半导体层的干蚀刻制程，进而降低制作成本并且提高器件稳定性。

主权项：1.一种蚀刻液，其特征在于，包括以下组分：10~20%质量百分比的过氧化氢；0.05~5%质量百分比的蚀刻抑制剂；氟化物组合物，所述氟化物组合物包括0.10%质量百分比的氟化氢和0.15%质量百分比的氟化氢铵；0.5%质量百分比的硅蚀刻助剂，所述硅蚀刻助剂为磷酸；2~10%质量百分比的蚀刻添加剂；以及溶剂。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TCL华星光电技术有限公司 一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法

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