申请/专利权人：山东金宝电子有限公司

申请日：2022-06-02

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114990654B

主分类号：C25D5/14

分类号：C25D5/14;C25D5/34;C25D5/48;C25D7/06;C25D1/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.12.13#著录事项变更;2022.09.20#实质审查的生效;2022.09.02#公开

摘要：本发明公开了一种电解铜箔表面处理工艺，取双面光电解铜箔作为基材，依次进行酸洗、粗化、固化、合金化、镀铬、浸涂硅烷偶联剂处理工艺，制备得到HVLP超低轮廓铜箔产品。本发明还提供了由上述电解铜箔表面处理工艺制备得到的HVLP铜箔产品及其在高速讯号传输上的应用。本发明能够在平滑铜箔表面制备出具有低粗糙度、高比表面积、均匀分布的铜瘤形貌，制备的铜瘤大小可达到亚微米、纳米级别，可以保证电解铜箔与树脂结合的可靠性，形成良好的结合力，制备加工的铜箔产品可满足高频率下讯号的高速传输。

主权项：1.一种电解铜箔表面处理工艺，其特征在于，取18μm双面光电解铜箔作为基材，依次进行酸洗、粗化、固化、合金化、镀铬、浸涂硅烷偶联剂处理工艺，制备得到HVLP铜箔产品；具体包括以下步骤：（1）酸洗：H2SO4120gL的纯水溶液，将铜箔23℃下在酸洗液中浸8s；（2）粗化：纯水溶液含CuSO442.5gL，CoSO43gL，H2SO4120gL，Na3PMo12O40·6H2O0.5gL，Cl-80ppm，电沉积工艺为：温度20℃，电流密度35Adm2，电沉积时间4s；（3）固化：纯水溶液含CuSO487.5gL，H2SO4120gL，半胱氨酸0.08gL，蛋氨酸0.08gL，Cl-30ppm，电沉积工艺为：温度36℃，电流密度14Adm2，电沉积时间6s；（4）合金化：纯水溶液中含NiSO41gL,ZnSO43gL,Na2MoO41.6gL,柠檬酸钠60gL，PH6.0，电沉积工艺为温度32℃，电流密度0.5Adm2，电沉积时间10s；（5）镀铬：纯水溶液中CrO31.6gL，PH10.5，电沉积工艺为温度30℃，电流密度3Adm2，电沉积时间8s；（6）浸涂硅烷偶联剂：纯水溶液中含10gL的3-（2,3-环氧丙氧）丙基三乙氧基硅烷，待硅烷偶联剂水解均匀后，将铜箔的粗化处理面在32℃下浸涂3s。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东金宝电子有限公司 一种电解铜箔表面处理工艺与HVLP铜箔产品及其应用

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