申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2018-07-23

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN111149198B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：["20170728 US 62/538,202","20180719 US 16/040,407"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2020.08.25#实质审查的生效;2020.05.12#公开

摘要：在一种实现方式中，晶片处理方法包括用金属填充多个通抗蚀剂凹陷特征，使得第一特征的填充速率与第二特征的填充速率之比为R1；然后电化学去除金属，使得从第一特征去除金属的速率与从第二特征去除金属的速率之比大于R1，从而改善填充的均匀性。在一些实施方案中，该方法包括使阳极偏置的衬底与电解液接触，以使得电解液在实质上平行于衬底的工作表面的方向上具有横向流动分量。该方法可以在配置成用于在衬底的表面处产生横流的设备中实现。在一些实现方式中，该方法利用不同的电化学状态来实现均匀性的改善。

主权项：1.一种用于处理半导体衬底的方法，所述方法包含：a将具有工作表面的半导体衬底提供至被配置成用于电化学金属去除的设备中，其中所述工作表面包含多个通掩模金属特征；b从由低于临界电位的电蚀刻、高于所述临界电位的电抛光以及后接高于所述临界电位的电抛光的低于所述临界电位的电蚀刻所组成的群组选择用于所述电化学金属去除的状态；以及c在所选择的所述状态中，从所述多个通掩模金属特征电化学去除所述金属的一部分，同时改善所述金属的均匀度，其中所述设备配置成用于电化学金属去除，其包括：i容器，其被配置成在从所述半导体衬底电化学金属去除期间用于容纳电解液与阴极；ii半导体衬底支撑件，其被配置成支撑所述半导体衬底，使得在从所述半导体衬底的所述电化学金属去除期间，所述半导体衬底的工作表面浸没于所述电解液中并且与所述阴极分离；iii机构，其被配置成沿着实质上平行所述半导体衬底的所述工作表面的方向提供与所述半导体衬底的所述工作表面接触的电解液横流，其中所述机构不同于用于旋转所述半导体衬底的机构；以及iv参考电极，其用于测量靠近所述半导体衬底的电位或等效电位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 通掩模互联制造中的电氧化金属去除

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