申请/专利权人：成都宏科电子科技有限公司

申请日：2023-03-09

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN116206898B

主分类号：H01G4/30

分类号：H01G4/30;H01G4/12;H01G4/012

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2023.06.20#实质审查的生效;2023.06.02#公开

摘要：本发明涉及电子元器件领域，具体涉及一种高压片式多层瓷介电容器的制作方法及电容器，在进行排粘和烧结工艺时，根据有机粘合剂和多层瓷介电容器生坯的差热分析曲线、内电极浆料和多层瓷介电容器生坯的热机械分析曲线结合多层瓷介电容器的实际电性能及破坏性物理分析内部结构情况确定排粘、烧结的升温速率、温度、时间，进一步精细化排粘、烧结曲线，确定最佳烧结工艺窗口，保证多层瓷介电容器的介质致密性。本发明的高压片式多层瓷介电容器满足了用户对产品性能好、可靠性高的要求。

主权项：1.一种高压片式多层瓷介电容器的制作方法，其特征在于，包括：依次经过浆料配制工序、流延工序、印叠工序、切块工序、排粘工序、烧结工序、倒角工序、涂端工序、烧银工序、电镀工序得到电容器半成品，然后对所述电容器半成品进行测量、筛选、超声波无损检测和外观筛选，得到成品，其中，在进行排粘和烧结工艺时，根据有机粘合剂和多层瓷介电容器生坯的差热分析曲线、内电极浆料和多层瓷介电容器生坯的热机械分析曲线结合多层瓷介电容器的实际电性能及破坏性物理分析内部结构情况确定排粘、烧结的升温速率、温度、时间，进一步精细化排粘、烧结曲线，确定最佳烧结工艺窗口，保证多层瓷介电容器的介质致密性；根据有机物的挥发温度以及多层瓷介电容器生坯的差热分析曲线，确定出排粘曲线为：在31小时内升温至177℃，177℃保温4小时后，在后续的35小时升温至260℃，然后在后续的11小时升温至316℃，最后在1小时内降温至71℃；根据多层瓷介电容器生坯的差热分析曲线，结合瓷粉晶相烧结成瓷的特性以及瓷介质与内电极的收缩匹配性、产品的机械和电性能来确定烧结曲线为6.5h至最高温度1105±10℃，再在最高温度下保温2.5小时。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都宏科电子科技有限公司 一种高压片式多层瓷介电容器的制作方法及电容器

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