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【发明授权】平面变压器优化设计方法_东莞市奥海科技股份有限公司_202310338279.3 

申请/专利权人:东莞市奥海科技股份有限公司

申请日:2023-03-31

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN116629040B

主分类号:G06F30/23

分类号:G06F30/23;G06F30/10

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.26#授权;2023.09.08#实质审查的生效;2023.08.22#公开

摘要:本发明公开一种平面变压器优化设计方法,包括:共模EMI传导路径确定;结构信息确定;粗优化;绕组PCBLayout绘制;精确仿真;最优解判断。本发明平面变压器优化设计方法先通过确定平面变压器的共模EMI传导路径、磁芯绕组结构信息以建立2D电场仿真模型,然后以耦合电荷为研究对象对2D电场仿真模型通过调整线圈相关参数进行有限元仿真粗优化,实现耦合电荷的快速优化,最后建立3D的全波电磁场仿真模型并进行有限元仿真精细优化正向传输系数特性,以获得最优共模EMI滤波特性的平面变压器,解决了平面变压器共模EMI滤波特性设计的盲目性问题,且减少打样轮次,可有效缩短研发周期,降低研发成本。

主权项:1.一种平面变压器优化设计方法,其特征在于,包括以下步骤:共模EMI传导路径确定:确定平面变压器的共模EMI传导路径;结构信息确定:确定磁芯绕组结构信息;其中,所述磁芯绕组结构信息包括磁芯模型、绕组结构、磁芯材料和绕组介电材料;粗优化:根据所述共模EMI传导路径及所述磁芯绕组结构信息建立2D电场仿真模型,以耦合电荷为研究对象对建立获得的所述2D电场仿真模型通过调整线圈相关参数进行有限元仿真粗优化,获得粗优化结果;其中,所述线圈相关参数包括屏蔽线圈的匝数、屏蔽线圈的线宽和屏蔽线圈的位置;绕组PCBLayout绘制:根据所述粗优化结果绘制绕组PCBLayout;精确仿真:根据平面变压器共模EMI滤波特性测试的接线方法、所述磁芯模型以及所述绕组PCBLayout,在ANSYSHFSS中建立全波电磁场仿真模型,仿真获取所述粗优化结果对应的正向传输系数;最优解判断:根据获得的所述正向传输系数判断绘制获得的绕组PCBLayout对应的共模EMI滤波特性是否为最优;所述绕组PCBLayout绘制的步骤具体为:根据所述粗优化结果绘制初步优化绕组PCBLayout,调整所述屏蔽线圈的匝数,绘制多个接近绕组PCBLayout。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 东莞市奥海科技股份有限公司 平面变压器优化设计方法

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