申请/专利权人：南通南辉电子材料股份有限公司

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117612868B

主分类号：H01G9/055

分类号：H01G9/055;H01G9/045;H01G9/00;H01G2/12;C25F3/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：本发明属于电容器腐蚀箔的制备技术领域，公开了一种中压腐蚀箔的制造方法，其制备方法包括以下步骤：S1、前处理；S2、一级发孔；S3、二级发孔；S4、热处理；S5、三级扩孔；S6、后处理。通过该方法制造的中压腐蚀箔具有更高的抗弯折强度，且具有更高的比容量与良好的电化学特性。该方法制造的中压腐蚀箔相较于现有技术可以使得折曲强度、静电容量和孔洞均匀度与数量综合平衡效果的提升，尤其是静电容量的提升。

主权项：1.一种中压腐蚀箔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、前处理：将铝箔放置于温度为40-55℃的前处理溶液中浸泡0.5-1min，得到前处理溶液浸泡后的铝箔片；将前处理溶液浸泡后的铝箔片放置于镀膜机的真空室中进行镀纳米钛处理；S2、一级发孔：将完成前处理的铝箔片放置于温度为45-60℃的一级混合处理溶液中浸泡1-1.5min，并持续施加电流密度为10-20Adm2的直流电，沥干，然后在喷淋流量为8-10Lh的条件下，继续采用所述一级混合处理溶液喷淋20-30min，得到一级混合处理溶液处理后的铝箔片；S3、二级发孔：将上述S2中一级混合处理溶液处理后的铝箔片采用纯水清洗，清洗完成后放置于温度为50-60℃的二级混合处理溶液中浸泡1-3min，且持续施加电流密度为6-8Adm2的直流电，得到二级混合处理溶液处理后的铝箔片；S4、热处理：将上述S3中二级混合处理溶液处理后的铝箔片采用纯水清洗后热处理形成一层≤5nm的氧化铝膜；S5、三级扩孔：将热处理后的铝箔片放置于温度为60-75℃的三级混合处理溶液中浸泡2-5min，得到三级混合处理溶液处理后的铝箔片；S6、后处理：将三级混合处理溶液处理后的铝箔片放置于温度为40-50℃的硝酸溶液中浸泡2-3min，取出用纯水清洗后，得到中压腐蚀箔；步骤S1中，所述前处理溶液为质量百分比为5-10%的磷酸溶液；步骤S4中，所述热处理步骤具体为：S401、将完成二级混合溶液处理的铝箔片先进行500-1000Hz的高频交流电处理，电流密度为0.05-0.1Acm2，电解液为0.5-1.5molL的草酸溶液，溶液温度为50-60℃；S402、将通过高频交流电处理的铝箔片放置在温度为100-120℃下，焙烧0.5-1min，得到热处理完成的铝箔片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南通南辉电子材料股份有限公司 一种中压腐蚀箔的制造方法

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