申请/专利权人：日亚化学工业株式会社

申请日：2018-12-21

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN109980071B

主分类号：H01L33/50

分类号：H01L33/50;H01L33/58;H01L33/60;H01L25/075

优先权：["20171222 JP 2017-246293"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2019.07.05#公开

摘要：本发明提供能够减少颜色不均的发光装置。发光装置具备：第一发光元件，其具备长方形的第一元件光导出面；第二发光元件，其具备长方形的第二元件光导出面，且具有与第一发光元件的发光峰值波长不同的发光峰值波长；透光性构件，其覆盖第一元件光导出面以及第二元件光导出面，透光性构件具备与第一元件光导出面以及第二元件光导出面对置的第一透光层、配置在第一透光层上的波长转换层、以及配置在波长转换层上的第二透光层，第一透光层包括第一母材和第一扩散粒子，波长转换层包括第二母材和波长转换粒子，第二透光层包括第三母材和第二扩散粒子。

主权项：1.一种发光装置，具备：第一发光元件，其具备长方形的第一元件光导出面、位于与所述第一元件光导出面相反的一侧的第一元件电极形成面、位于所述第一元件光导出面与所述第一元件电极形成面之间的第一元件侧面、以及设置于所述第一元件电极形成面的一对第一元件电极；第二发光元件，其具备长方形的第二元件光导出面、位于与所述第二元件光导出面相反的一侧的第二元件电极形成面、位于所述第二元件光导出面与所述第二元件电极形成面之间的第二元件侧面、以及设置于所述第二元件电极形成面的一对第二元件电极，所述第二发光元件具有与所述第一发光元件的发光峰值波长不同的发光峰值波长，且所述第一元件光导出面的短边与所述第二元件光导出面的短边对置；导光构件，其连续地覆盖所述第一元件光导出面、所述第一元件侧面、所述第二元件光导出面以及所述第二元件侧面；透光性构件，其经由所述导光构件而覆盖所述第一元件光导出面以及所述第二元件光导出面；第一反射构件，其经由所述导光构件而覆盖所述第一元件侧面以及所述第二元件侧面；以及第三反射构件，其位于所述导光构件与所述第一反射构件之间，所述透光性构件具备与所述第一元件光导出面以及所述第二元件光导出面对置的第一透光层、配置在所述第一透光层上的波长转换层、以及配置在所述波长转换层上的第二透光层，所述第一透光层包括第一母材和第一扩散粒子，所述波长转换层包括第二母材和波长转换粒子，所述第二透光层包括第三母材和第二扩散粒子。

全文数据：发光装置技术领域本发明涉及发光装置。背景技术已知如下的白色发光二极管，该白色发光二极管在第一引线端子上安装有蓝色发光二极管芯片和绿色发光二极管芯片，蓝色发光二极管芯片和绿色发光二极管芯片被模制部密封，在模制部内含有红色荧光体例如，参照专利文献1。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-158296号公报发明内容发明所要解决的课题本发明的目的在于提供能够减少颜色不均的发光装置。用于解决课题的方案本发明的一方式所涉及的发光装置具备：第一发光元件，其具备长方形的第一元件光导出面、位于与所述第一元件光导出面相反的一侧的第一元件电极形成面、位于所述第一元件光导出面与所述第一元件电极形成面之间的第一元件侧面、以及设置于所述第一元件电极形成面的一对第一元件电极；第二发光元件，其具备长方形的第二元件光导出面、位于与所述第二元件光导出面相反的一侧的第二元件电极形成面、位于所述第二元件光导出面与所述第二元件电极形成面之间的第二元件侧面、以及设置于所述第二元件电极形成面的一对第二元件电极，所述第二发光元件具有与所述第一发光元件的发光峰值波长不同的发光峰值波长，且所述第一元件光导出面的短边与所述第二元件光导出面的短边对置；导光构件，其连续地覆盖所述第一元件光导出面、所述第一元件侧面、所述第二元件光导出面以及所述第二元件侧面；透光性构件，其经由所述导光构件而覆盖所述第一元件光导出面以及所述第二元件光导出面；以及第一反射构件，其经由所述导光构件而覆盖所述第一元件侧面以及所述第二元件侧面，所述透光性构件具备与所述第一元件光导出面以及所述第二元件光导出面对置的第一透光层、配置在所述第一透光层上的波长转换层、以及配置在所述波长转换层上的第二透光层，所述第一透光层包括第一母材和第一扩散粒子，所述波长转换层包括第二母材和波长转换粒子，所述第二透光层包括第三母材和第二扩散粒子。发明效果根据本发明的发光装置，能够提供可减少颜色不均的发光装置。附图说明图1A是实施方式所涉及的发光装置的概要立体图。图1B是实施方式所涉及的发光装置的概要立体图。图1C是实施方式所涉及的发光装置的概要主视图。图2A是图1C的2A-2A线处的概要剖视图。图2B是图1C的2B-2B线处的概要剖视图。图2C是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要剖视图。图2D是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要剖视图。图3A是实施方式所涉及的基板、第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的概要主视图。图3B是实施方式所涉及的基板、第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的变形例的概要主视图。图3C是实施方式所涉及的基板、第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的变形例的概要主视图。图4A是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要立体图。图4B是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要立体图。图4C是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要主视图。图4D是图4C的4D-4D线处的概要剖视图。图4E是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要剖视图。图5A是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要剖视图。图5B是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要剖视图。图5C是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要剖视图。图5D是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要剖视图。图6A是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要立体图。图6B是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要立体图。图6C是实施方式所涉及的发光装置的变形例的概要主视图。图6D是图6C的6D-6D线处的概要剖视图。图7是实施方式所涉及的发光装置的概要仰视图。图8是实施方式所涉及的发光装置的概要后视图。图9是实施方式所涉及的基板的概要主视图。图10是实施方式所涉及的发光装置的概要右视图。附图标记说明1000、1000A、1000B、1000C、1000D、1000E、1000F、1000G、2000、3000发光装置；10基板；11基材；12第一配线；13第二配线；14第三配线；15过孔；151第四配线；152填充构件；16凹陷；18绝缘膜；20A第一发光元件；20B第二发光元件；20C第三发光元件；20D第四发光元件；30透光性构件；31A第一透光层；31B波长转换层；31C第二透光层；40第一反射构件；41第二反射构件；42第三反射构件；50导光构件；60导电性粘接构件。具体实施方式以下，适当参照附图对发明的实施方式进行说明。但是，以下说明的发光装置用于将本发明的技术思想具体化，在没有特定的记载的情况下，不将本发明限定于以下的实施方式。另外，在一个实施方式中说明的内容也可以应用于其他实施方式以及变形例。并且，为了使说明明确，附图所示的构件的大小、位置关系等存在夸张的情况。根据图1A～图10对本发明的实施方式所涉及的发光装置1000进行说明。发光装置1000具备第一发光元件20A、第二发光元件20B、导光构件50、透光性构件30、以及第一反射构件40。第一发光元件20A具备长方形的第一元件光导出面201A、位于与第一元件光导出面相反的一侧的第一元件电极形成面203A、位于第一元件光导出面201A与第一元件电极形成面203A之间的第一元件侧面202A、以及设置于第一元件电极形成面203A的一对第一元件电极21A、22A。第二发光元件20B具备长方形的第二元件光导出面201B、位于与第二元件光导出面相反的一侧的第二元件电极形成面203B、位于第二元件光导出面201B与第二元件电极形成面203B之间的第二元件侧面202B、以及设置于第二元件电极形成面203B的一对第二元件电极21B、22B。第二发光元件20B的发光峰值波长与第一发光元件20A的发光峰值波长不同。另外，第一元件光导出面201A的短边2011A与第二元件光导出面201B的短边2011B对置。导光构件50连续地覆盖第一元件光导出面201A、第一元件侧面202A、第二元件光导出面201B以及所述第二元件侧面202B。透光性构件30经由导光构件50而覆盖第一元件光导出面201A以及第二元件光导出面201B。透光性构件30具备与第一元件光导出面201A以及第二元件光导出面201B对置的第一透光层31A、配置在第一透光层31A上的波长转换层31B、以及配置在波长转换层31B上的第二透光层31C。第一透光层31A包括第一母材312A和第一扩散粒子311A。波长转换层31B包括第二母材312B和波长转换粒子311B。第二透光层31C包括第三母材312C和第二扩散粒子311C。在本说明书中，长方形是指具备两个长边和两个短边、且四个内角为直角的四边形。另外，在本说明书中，直角是指90±3°。如图2A、图2B所示，透光性构件30具备与第一元件光导出面201A以及第二元件光导出面201B对置的第一透光层31A，从而来自第一发光元件以及第二发光元件的光被第一透光层31A扩散。由此，能够使第一发光元件以及第二发光元件的光在第一透光层31A内混合，因此能够减少发光装置1000的颜色不均。优选第一透光层31A实质上不含有波长转换粒子。波长转换粒子在被第一发光元件以及或者第二发光元件的光激励时，吸收第一发光元件以及或者第二发光元件的光的一部分。第一透光层31A位于第一元件光导出面201A以及第二元件光导出面201B与波长转换层31B之间，从而能够在第一发光元件以及或者第二发光元件的光被波长转换粒子吸收之前，使第一发光元件以及第二发光元件的光混合。由此，能够抑制发光装置的光导出效率降低的情况。“实质上不含有波长转换粒子”是指不排除不可避免地混入的波长转换粒子，波长转换粒子的含有率优选为0.05重量％以下。如图2A所示，导光构件50连续地覆盖第一元件光导出面201A、第一元件侧面202A、第二元件光导出面201B以及第二元件侧面202B，从而能够在导光构件内使第一发光元件以及第二发光元件的光混合。由此，能够减少发光装置的颜色不均。优选导光构件实质上不含有波长转换粒子。导光构件实质上不含有波长转换粒子，从而能够抑制第一发光元件以及或者第二发光元件的光的一部分被导光构件中的波长转换粒子吸收的情况。由此，能够抑制发光装置的光导出效率降低的情况。如图2A、图2B所示，通过具备配置在波长转换层31B上的第二透光层31C，从而能够在第二透光层内使来自第一发光元件以及第二发光元件的光与来自被第一发光元件以及或者第二发光元件激励的波长转换粒子的光混合。由此，能够减少发光装置的颜色不均。另外，第二透光层配置在波长转换层上，从而即使波长转换层含有不耐水分的波长转换粒子，第二透光层也能够作为保护层而发挥功能。由此，能够抑制波长转换粒子的劣化。作为不耐水分的波长转换粒子，例如可以列举锰激活氟化物荧光体。锰激活氟化物系荧光体能够得到光谱线宽较窄的发光从而是基于颜色再现性的观点而优选的构件。优选第二透光层实质上不含有波长转换粒子。第二透光层实质上不含有波长转换粒子，从而能够抑制第一发光元件以及或者第二发光元件的光的一部分被第二透光层中的波长转换粒子吸收的情况。由此，能够抑制发光装置的光导出效率降低的情况。第一母材312A、第二母材312B以及第三母材312C优选包含相同的树脂材料。第一母材以及第二母材包含相同的树脂材料，从而能够提高第一母材与第二母材的接合强度。另外，第二母材以及第三母材包含相同的树脂材料，从而能够提高第二母材与第三母材的接合强度。第一发光元件20A至少包含第一元件半导体层叠体23A，在第一元件半导体层叠体23A设置有一对第一元件电极21A、22A。需要说明的是，在本实施方式中，第一发光元件20A具有第一元件基板24A，但也可以除去第一元件基板24A。第二发光元件20B也同样地至少包含第二元件半导体层叠体23B，在第二元件半导体层叠体23B设置有第二元件电极21B、22B。需要说明的是，在本实施方式中，第二发光元件20B具有第二元件基板24B，但也可以除去第二元件基板24B。第一元件基板以及或者第二元件基板是指后述的蓝宝石等元件基板。第一发光元件20A的发光峰值波长与第二发光元件20B的发光峰值波长不同即可。优选第一发光元件的发光峰值波长处于430nm以上且小于490nm的范围蓝色区域的波长范围，第二发光元件的发光峰值波长处于490nm以上且570nm以下的范围绿色区域的波长范围。这样一来，能够提高发光装置的颜色再现性。在第二发光元件的发光峰值波长处于490nm以上且570nm以下的范围的情况下，第二发光元件的半值宽度优选为5nm以上且40nm以下。第二发光元件的半值宽度为5nm以上，从而能够提高第二发光元件的光输出。第二发光元件的半值宽度为40nm以下，从而绿色光能够具有陡峭的峰值。由此，在将发光装置用于液晶表示装置的情况下，能够实现高颜色再现性。需要说明的是，通过使用发出绿色光的发光元件，与使用绿色荧光体而得到绿色光的情况相比，能够容易地缩短绿色光的半值宽度。在第一发光元件的发光峰值波长处于430nm以上且小于490nm的范围蓝色区域的波长范围，第二发光元件的发光峰值波长处于490nm以上且570nm以下的范围绿色区域的波长范围的情况下，波长转换粒子的发光峰值波长优选为580nm以上且小于680nm红色区域的波长范围。这样一来，能够提高发光装置的颜色再现性。如图3A所示，第一元件光导出面201A的短边2011A与第二元件光导出面201B的短边2011B对置。由此，能够在Y方向上使发光装置薄型化。第一反射构件40经由导光构件50而覆盖第一元件侧面202A以及第二元件侧面202B，从而第一反射构件反射从第一发光元件20A以及第二发光元件20B沿X方向以及或者Y方向前进的光而增加沿Z方向前进的光。由此，第一发光元件以及第二发光元件的光容易穿过透光性构件30，因此能够减少发光装置的颜色不均。如图2A所示，优选第一反射构件40覆盖透光性构件30的侧面。这样一来，发光区域与非发光区域的对比度高，能够实现“划分性”良好的发光装置。可以如图4A至图4D所示，发光装置2000具备第一发光元件20A和第二发光元件20B这两个发光元件，也可以如图2A所示，发光装置1000具备第一发光元件20A、第二发光元件20B以及第三发光元件20C这三个发光元件。也可以如图4E所示的发光装置3000那样，具备第一发光元件20A、第二发光元件20B、第三发光元件20C、以及第四发光元件20D这四个发光元件。另外，发光装置也可以具备五个以上的发光元件。第三发光元件20C具备第三元件光导出面201C、位于与第三元件光导出面相反的一侧的第三元件电极形成面203C、位于第三元件光导出面与第三元件电极形成面之间的第三元件侧面202C、以及设置于第三元件电极形成面的一对第三元件电极。导光构件连续地覆盖第三元件光导出面以及所述第三元件侧面。透光性构件经由导光构件而覆盖第三元件光导出面。第一反射构件经由导光构件而覆盖第三元件侧面。发光装置1000可以具备覆盖第二配线13的一部分的绝缘膜18。通过具备绝缘膜18，从而能够实现确保背面的绝缘性以及防止短路。另外，能够防止第二配线从基材剥离。如图2A所示，在Z方向上，第一发光元件20A的第一元件光导出面201A与第二发光元件20B的第二元件光导出面201B可以位于大致相同的高度，在Z方向上，第一发光元件20A的第一元件光导出面201A与第二发光元件20B的第二元件光导出面201B也可以位于不同的高度。例如，也可以如图2C所示的发光装置1000A那样，在Z方向上，第一元件光导出面201A位于比第二元件光导出面201B靠下侧的位置。在Z方向上，第一元件光导出面201A位于比第二元件光导出面201B靠下侧的位置，从而能够增厚位于第一元件光导出面上的导光构件50的Z方向的厚度，因此来自第一发光元件20A的光与来自第二发光元件20B的光容易在导光构件内混合。由此，能够减少发光装置1000的颜色不均。另外，也可以如图2D所示的发光装置1000B那样，在Z方向上，第一元件光导出面201A位于比第二元件光导出面201B靠上侧的位置。在Z方向上，第一元件光导出面201A位于比第二元件光导出面201B靠上侧的位置，从而能够增厚位于第二元件光导出面上的导光构件50的Z方向的厚度，因此来自第一发光元件20A的光与来自第二发光元件20B的光容易在导光构件内混合。由此，能够减少发光装置1000的颜色不均。如图3A所示，优选在主视观察时，第二发光元件20B位于第一发光元件20A与第三发光元件20C之间。这样一来，第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件沿一方向排列，因此能够在Y方向上使发光装置薄型化。在第三元件光导出面呈长方形的情况下，优选第二元件光导出面的短边2012B与第三元件光导出面的短边2011C对置。这样一来，能够在Y方向上使发光装置薄型化。可以如图3A所示，第一发光元件20A的第一元件光导出面201A的短边2011A与第二发光元件20B的第二元件光导出面201B的短边2011B的长度大致相同，第一发光元件20A的第一元件光导出面201A的短边2011A与第二发光元件20B的第二元件光导出面201B的短边2011B的长度也可以不同。例如，也可以如图3B所示，第一元件光导出面201A的短边2011A的长度比第二元件光导出面201B的短边2011B的长度长。这样一来，能够增厚位于第二发光元件20B的长边侧的侧面的导光构件50的Y方向的厚度，因此来自第一发光元件20A的光与来自第二发光元件20B的光容易在导光构件内混合。由此，能够减少发光装置1000的颜色不均。另外，也可以如图3C所示，第一元件光导出面201A的短边2011A的长度比第二元件光导出面201B的短边2011B的长度短。这样一来，能够增厚位于第一发光元件20A的长边侧的侧面的导光构件50的Y方向的厚度，因此来自第一发光元件20A的光与来自第二发光元件20B的光容易在导光构件内混合。由此，能够减少发光装置1000的颜色不均。第三发光元件20C的发光峰值波长与第一发光元件20A或者第二发光元件20B的发光峰值波长可以相同，也可以不同。在第一发光元件20A与第三发光元件20C之间具有第二发光元件20B的情况下，优选第三发光元件20C的发光峰值波长与第一发光元件20A的发光峰值波长相同。这样一来，能够减少发光装置的颜色不均。需要说明的是，在本说明书中，发光峰值波长相同是指允许±10nm左右的变动。例如，在第一发光元件20A的发光的峰值波长处于430nm以上且小于490nm的范围蓝色区域的波长范围的情况下，优选第三发光元件20C的发光峰值波长处于430nm以上且小于490nm的范围。这样一来，通过选择在430nm以上且小于490nm的范围内具有激励效率的峰值的波长转换粒子，能够提高波长转换粒子的激励效率。也可以如图5A所示的发光装置1000C那样，具备覆盖第二发光元件20B的第二元件光导出面201B的覆盖构件31D。在覆盖构件31D包含第三扩散粒子311D的情况下，通过具备覆盖第二元件光导出面201B的覆盖构件31D，从而能够减少沿Z方向前进的来自第二发光元件的光，而增加沿X方向以及或者Y方向前进的光。由此，能够在导光构件内使来自第二发光元件的光扩散，因此能够抑制发光装置的颜色不均。需要说明的是，覆盖构件31D位于第二发光元件20B的第二元件光导出面201B与导光构件50之间。优选包含第三扩散粒子311D的覆盖构件31D使第二元件侧面202B的至少一部分露出。这样一来，能够抑制减少沿X方向以及或者Y方向前进的来自第二发光元件的光减少。覆盖构件31D可以包括波长转换粒子。通过具备覆盖第二发光元件20B的第二元件光导出面且包括波长转换粒子的覆盖构件31D，从而发光装置的颜色调整变得容易。需要说明的是，覆盖构件31D所含有的波长转换粒子与波长转换层所含有的波长转换粒子可以相同，也可以不同。例如，在第二发光元件的发光的峰值波长处于490nm以上且570nm以下的范围绿色区域的波长范围的情况下，优选波长转换粒子为由490nm以上且570nm以下的范围内的光激励的CASN系荧光体以及或者SCASN系荧光体。此外，作为波长转换粒子，也可以使用Sr，CaLiAl3N4：Eu的荧光体。另外，覆盖构件31D可以覆盖第一发光元件20A的第一元件光导出面201A以及或者第三发光元件的第三元件光导出面201C。可以如图5A所示的发光装置1000C那样，一个覆盖构件31D覆盖一个发光元件的光导出面，也可以如图5B所示的发光装置1000D那样，多个覆盖构件31D覆盖一个发光元件的光导出面。发光元件的光导出面的一部分从覆盖构件31D露出，从而发光元件的光导出效率提高。也可以如图2A所示，具备覆盖第一元件电极形成面203A以及第二元件电极形成面203B的第二反射构件41。在发光装置具备载置第一发光元件以及第二发光元件的基板的情况下，第一元件电极形成面以及第二元件电极形成面由第二反射构件41覆盖，从而能够抑制来自第一发光元件以及第二发光元件的光被基板吸收的情况。由此，发光装置的光导出效率提高。另外，在发光装置不具备载置第一发光元件以及第二发光元件的基板的情况下，第一元件电极形成面以及第二元件电极形成面由第二反射构件覆盖，从而能够抑制来自第一发光元件以及第二发光元件的光被安装发光装置的安装基板吸收的情况。由此，发光装置的光导出效率提高。另外，优选第二反射构件41具备随着远离第一发光元件20A以及或者第二发光元件20B而Z方向上的厚度变厚的倾斜部。第二反射构件41具备倾斜部，从而来自第一发光元件20A以及或者第二发光元件20B的光的导出效率提高。也可以如图5C的发光装置1000E所示，第一元件电极形成面203A以及第二元件电极形成面203B由第一反射构件40覆盖。由此，发光装置的光导出效率提高。也可以如图2A所示，在导光构件50与第一反射构件之间具备第三反射构件42。第三反射构件42经由导光构件而覆盖第一元件侧面以及第二元件侧面。通过在形成第三反射构件42后通过浇铸等形成导光构件50，从而能够抑制导光构件50的形状偏差。优选与透光性构件30对置的第三反射构件42的面平坦。这样一来，容易在形成第三反射构件42后形成透光性构件30。需要说明的是，在发光装置具备第三反射构件42的情况下，第一反射构件经由第三反射构件以及导光构件而覆盖第一元件侧面以及第二元件侧面。可以如图5D所示的发光装置1000F那样，发光装置不具备载置第一发光元件以及第二发光元件的基板，也可以如图2A所示的发光装置1000那样，发光装置具备载置第一发光元件以及第二发光元件的基板10。在发光装置不具备基板的情况下，能够使发光装置在Z方向上薄型化。在发光装置具备基板10的情况下，能够提高发光装置的强度。在如图5D所示的发光装置1000F那样，发光装置不具备基板的情况下，优选第一发光元件20A和第二发光元件20B通过利用溅射等形成的金属膜122而连接。通过设置金属膜122，从而能够将第一发光元件以及第二发光元件电连接。例如，基板10具备基材11、第一配线12、第二配线13、以及过孔15。基材11具有：沿长边方向和短边方向延长的正面111、位于与正面相反的一侧的背面112、与正面111邻接且与正面111正交的底面113、以及位于与底面113相反的一侧的上表面114。第一配线12配置于基材11的正面111。第二配线13配置于基材11的背面112。第一发光元件以及第二发光元件与第一配线12电连接，且载置在第一配线12上。第一反射构件40覆盖第一元件侧面、第二元件侧面以及基板的正面111。过孔15将第一配线12与第二配线13电连接。可以如图1B所示，基材11具有在背面112和底面113开口的至少一个凹陷16，也可以如图6A至图6D所示的发光装置1000G那样，基材11不具有凹陷。通过使基材11不具有凹陷，从而能够提高基材的强度。另外，通过使基材11具备凹陷16，从而能够通过形成在凹陷16内的焊料等接合构件将发光装置固定于安装基板。由此，发光装置与安装基板的接合强度提高。需要说明的是，凹陷的内壁被第三配线14覆盖。发光装置1000能够通过形成在凹陷16内的焊料等接合构件而固定于安装基板。凹陷的数量可以是一个，也可以是多个。通过具有多个凹陷，能够提高发光装置1000与安装基板的接合强度。凹陷16可以是在基材的背面112和底面113开口且与基材的短边方向的侧面105分离的中央凹陷16A，也可以是在基材的背面112、底面113以及短边方向的侧面105开口的端部凹陷16B。需要说明的是，在本说明书中，凹陷是指中央凹陷以及或者端部凹陷。对于凹陷的深度而言，可以在上表面侧和底面侧为相同的深度，也可以在底面侧比在上表面侧深。如图2B所示，Z方向上的凹陷16的深度在底面侧比在上表面侧深，从而在Z方向上，能够使位于凹陷的上表面侧的基材的厚度W1比位于凹陷的底面侧的基材的厚度W2厚。由此，能够抑制基材的强度降低。另外，底面侧的凹陷的深度W3比上表面侧的凹陷的深度W4深，从而形成在凹陷内的接合构件的体积增加，因此能够提高发光装置1000与安装基板的接合强度。无论发光装置1000是以使基材11的背面112与安装基板对置的方式安装的上表面发光型顶视型，还是以使基材11的底面113与安装基板对置的方式安装的侧面发光型侧视型，通过增加接合构件的体积，均能够提高与安装基板的接合强度。发光装置1000与安装基板的接合强度尤其在侧面发光型的情况下能够得到提高。Z方向上的凹陷的深度在底面侧比在上表面侧深，从而能够增大底面的凹陷的开口部的面积。与安装基板对置的底面的凹陷的开口部的面积增大，从而还能够增大位于底面的接合构件的面积。由此，能够增大位于与安装基板对置的面的接合构件的面积，因此能够提高发光装置1000与安装基板的接合强度。Z方向上的凹陷的深度各自的最大值优选为Z方向上的基材的厚度的0.4倍～0.9倍。凹陷的深度比基材的厚度的0.4倍深，从而形成在凹陷内的接合构件的体积增加，因此能够提高发光装置与安装基板的接合强度。凹陷的深度比基材的厚度的0.9倍浅，从而能够抑制基材的强度降低。如图2B所示，优选在剖视观察时凹陷16具备从背面112沿与底面113平行的方向Z方向延伸的平行部161。通过具备平行部161，从而即使背面的凹陷的开口部的面积相同，也能够增大凹陷的体积。通过增大凹陷的体积能够增大可形成在凹陷内的焊料等接合构件的量，因此能够提高发光装置1000与安装基板的接合强度。需要说明的是，在本说明书中，平行是指允许±3°左右的倾斜。另外，在剖视观察时，凹陷16具备从底面113向基材11的厚度变厚的方向倾斜的倾斜部162。倾斜部162可以是直线，也可以弯曲。在底面中，Z方向上的中央凹陷的深度可以大致恒定，也可以为凹陷的深度在中央和端部不同。如图7所示，优选在底面中中央凹陷16A的中央的深度D1为Z方向上的中央凹陷的深度的最大值。这样一来，在底面中能够在X方向的中央凹陷的端部处增厚Z方向上的基材的厚度D2，因此能够提高基材的强度。需要说明的是，在本说明书中，中央是指允许5μm左右的变动。在底面中，Z方向上的端部凹陷的深度可以大致恒定，也可以为端部凹陷中的在侧面开口的端部的深度D3比不在侧面开口的一侧的端部的深度深。由此，在不在侧面开口的一侧的端部，能够增厚Z方向上的基材的厚度D4，因此能够提高基材的强度。如图8所示，在背面中，中央凹陷16A的开口形状优选为大致半圆形状。端部凹陷16B的形状优选为圆形状的大致四分之一的形状。在背面中，凹陷的开口形状为不存在角部的形状，从而能够抑制施加于凹陷的应力集中，因此能够抑制基材破裂。如图2A所示，优选过孔15与第一配线12、第二配线13以及第三配线14相接。由此，来自发光元件的热能够从第一配线12经由过孔15而向第二配线13以及或者第三配线14传递，因此能够提高发光装置1000的散热性。过孔15可以通过在基材的贯通孔内填充导电性材料而构成，也可以如图2A所示，具备覆盖基材的贯通孔的表面的第四配线151以及填充在第四配线151内的填充构件152。填充构件152可以为导电性也可以为绝缘性。在发光元件倒装安装于基板10的情况下，优选在主视观察时，在与第一发光元件的第一元件电极21A、22A以及或者第二发光元件的第二元件电极21B、22B重叠的位置，第一配线12具备凸部121。第一配线12具备凸部121，从而在借助导电性粘接构件60而将第一配线12与第一元件电极以及或者第二元件电极连接时，能够通过自对准效果而容易地进行第一发光元件以及或者第二发光元件与基板的对位。凸部的形状、高度、大小等并不特别限定，能够根据基板的大小、第一配线的厚度、第一发光元件以及或者第二发光元件的大小等而适当调整。另外，凸部的侧面可以倾斜，也可以垂直。凸部的侧面垂直，从而载置在凸部上的第一发光元件以及或者第二发光元件难以移动，能够使第一发光元件以及或者第二发光元件的安装稳定。需要说明的是，在本说明书中，垂直是指允许±3°左右的倾斜。如图7所示，优选第一反射构件40的短边方向的侧面405与基板10的短边方向的侧面105实质上位于相同平面上。这样一来，能够缩短长边方向X方向上的宽度，因此能够使发光装置小型化。也可以如图2A、图9所示，基材11在正面111具备凹部111A。基材11具备凹部111A，从而在第一反射构件覆盖基材的正面111的情况下，能够增加第一反射构件与基材的接触面积。由此，能够提高第一反射构件与基材的接合强度。优选凹部111A位于正面111的长边方向X方向的两端。这样一来，能够在基材的两端提高基材与第一反射构件的接合强度，因此能够抑制第一反射构件与基材剥离。如图10所示，优选位于底面113侧的第一反射构件40的长边方向的侧面403在Z方向上向发光装置1000的内侧倾斜。这样一来，在将发光装置1000安装于安装基板时，抑制了第一反射构件40的侧面403与安装基板的接触，发光装置1000的安装姿态容易稳定。优选位于上表面114侧的第一反射构件40的长边方向的侧面404在Z方向上向发光装置1000的内侧倾斜。这样一来，抑制了第一反射构件40的侧面与吸嘴夹头的接触，从而能够抑制发光装置1000的吸附时的第一反射构件40的损伤。这样，优选位于底面113侧的第一反射构件40的长边方向的侧面403以及位于上表面114侧的第一反射构件40的长边方向的侧面404在从背面朝向正面的方向Z方向上向发光装置1000的内侧倾斜。第一反射构件40的倾斜角度θ能够适当选择，但基于这种效果的发挥容易度以及第一反射构件40的强度的观点，优选为0.3°以上且3°以下，更优选为0.5°以上且2°以下，进一步优选为0.7°以上且1.5°以下。另外，优选发光装置1000的右侧面和左侧面设为大致相同的形状。这样一来，能够使发光装置1000小型化。以下，对本发明的一实施方式所涉及的发光装置的各构成要素进行说明。发光元件第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件以及或者第四发光元件发光元件是指第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件以及或者第四发光元件。发光元件是通过施加电压而自身发光的半导体元件，能够应用由氮化物半导体等构成的已知的半导体元件。作为发光元件，例如可以列举LED芯片。发光元件至少具备半导体层叠体，多数情况下还具备元件基板。在半导体层叠体中，发光元件的俯视形状优选为矩形，尤其优选为正方形或者在一方向上长的长方形，但也可以为其他形状，例如若为六边形形状则也能够提高发光效率。发光元件的侧面相对于上表面可以垂直，也可以向内侧或者外侧倾斜。另外，发光元件具有正负电极。正负电极能够由金、银、锡、铂、铑、钛、铝、钨、钯、镍或者它们的合金构成。发光元件的发光峰值波长能够根据半导体材料、其混晶比而在从紫外区域到红外区域的范围内选择。作为半导体材料，优选使用能够发出可高效地激励波长转换粒子的短波长的光的材料即氮化物半导体。氮化物半导体主要以通式InxAlyGa1-x-yN0≤x，0≤y，x+y≤1表示。此外，还可以使用InAlGaAs系半导体、InAlGaP系半导体、硫化锌、硒化锌、碳化硅等。发光元件的元件基板主要是能够使构成半导体层叠体的半导体的结晶生长的结晶生长用基板，但也可以是与从结晶生长用基板分离的半导体元件结构接合的接合用基板。元件基板具有透光性，从而容易采用倒装安装，另外容易提高光的导出效率。作为元件基板的母材，可以列举蓝宝石、氮化镓、氮化铝、硅、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、硫化锌、氧化锌、硒化锌、金刚石等。其中，优选为蓝宝石。元件基板的厚度能够适当选择，例如为0.02mm以上且1mm以下，基于元件基板的强度以及或者发光装置的厚度的观点，优选为0.05mm以上且0.3mm以下。透光性构件30透光性构件是设置在发光元件上且保护发光元件的构件。透光性构件层叠有第一透光层、波长转换层、以及第二透光层。第一透光层包括第一母材和第一扩散粒子，波长转换层包括第二母材和波长转换粒子，第二透光层包括第三母材和第二扩散粒子。透光性构件的母材第一母材、第二母材以及或者第三母材透光性构件的母材是指第一母材、第二母材、以及或者第三母材。透光性构件的母材只要对于从发光元件发出的光具有透光性即可。需要说明的是，“透光性”是指发光元件的发光峰值波长的光透射率优选为60％以上，更优选为70％以上，进一步优选为80％以上。透光性构件的母材可以使用硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或者它们的改性树脂。透光性构件的母材也可以为玻璃。其中，硅酮树脂以及改性硅酮树脂由于耐热性以及耐光性优异，因而优选。作为具体的硅酮树脂，可以列举二甲基硅酮树脂、苯基甲基硅酮树脂、二苯基硅酮树脂。需要说明的是，本说明书中的“改性树脂”包括混合树脂。透光性构件的扩散粒子第一扩散粒子以及或者第二扩散粒子透光性构件的扩散粒子是指第一扩散粒子以及或者第二扩散粒子。作为透光性构件的扩散粒子，可以列举氧化钛、氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化锌等。第一扩散粒子和第二扩散粒子可以为相同的材料，也可以为不同的材料。例如，第二扩散粒子可以为折射率比第一扩散粒子低的材料。这样一来，被第二扩散粒子扩散的光减少，因此发光装置的光导出效率提高。作为使第二扩散粒子的折射率比第一扩散粒子低的材料，有时第一扩散粒子选择氧化钛，而第二扩散粒子选择氧化硅。母材所含有的扩散粒子可以单独使用，也可以将两种以上的扩散粒子组合而使用。另外，波长转换层可以含有扩散粒子。波长转换层含有扩散粒子，从而发光元件发出的光在波长转换层内扩散，因此能够减少波长转换粒子的使用量。扩散粒子的粒径例如可以列举0.1μm以上且3μm以下左右。另外，本说明书中的“粒径”例如由D50定义。波长转换粒子波长转换粒子吸收发光元件发出的一次光的至少一部分并发出波长与一次光的波长不同的二次光。波长转换粒子可以将以下示出的具体例中的一种单独使用，或者将两种以上组合而使用。作为发出绿光的波长转换粒子，可以列举钇·铝·石榴石系荧光体例如Y3Al，Ga5O12：Ce、镥·铝·石榴石系荧光体例如Lu3Al，Ga5O12：Ce、铽·铝·石榴石系荧光体例如Tb3Al，Ga5O12：Ce系荧光体、硅酸盐系荧光体例如Ba，Sr2SiO4：Eu、氯硅酸盐系荧光体例如Ca8MgSiO44Cl2：Eu、β硅铝氧氮系荧光体例如Si6-zAlzOzN8-z：Eu0＜z＜4.2、SGS系荧光体例如SrGa2S4：Eu等。作为发出黄光的波长转换粒子，可以列举α硅铝氧氮系荧光体例如MzSi，Al12O，N16其中，0＜z≤2，M为Li、Mg、Ca、Y、以及除La和Ce以外的镧系元素等。需要说明的是，在上述发出绿光的波长转换粒子中也具有发出黄光的波长转换粒子。另外，例如，钇·铝·石榴石系荧光体通过将Y的一部分置换为Gd而能够使发光峰值波长向长波长侧偏移，从而能够发出黄光。另外，在它们之中也具有能够发出橙光的波长转换粒子。作为发出红光的波长转换粒子，可以列举含氮铝硅酸钙CASN或者SCASN系荧光体例如Sr、CaAlSiN3：Eu等。此外，可以列举锰激活氟化物系荧光体由通式IA2[M1-aMnaF6]表示的荧光体其中，在上述通式I中，A为从由K、Li、Na、Rb、Cs以及NH4构成的组中选出的至少一种，M为从由第4族元素以及第14族元素构成的组中选出的至少一种元素，a满足0＜a＜0.2。作为该锰激活氟化物系荧光体的代表例，有锰激活氟化硅酸钾的荧光体例如K2SiF6：Mn。反射构件第一反射构件、第二反射构件以及或者第三反射构件反射构件是指第一反射构件、第二反射构件以及或者第三反射构件。基于朝向Z方向的光导出效率的观点，反射构件对于发光元件的发光峰值波长的光反射率优选为70％以上，更优选为80％以上，进一步优选为90％以上。并且，反射构件优选为白色。由此，反射构件优选为在母材中含有白色颜料。反射构件在固化前经过液状的状态。反射构件能够通过传递成形、注射成形、压缩成形、浇铸等而形成。在发光装置具备第一反射构件、第二反射构件以及或者第三反射构件的情况下，例如，可以通过描绘形成第三反射构件，通过浇铸形成第一反射构件以及第二反射构件。反射构件的母材反射构件的母材能够使用树脂，例如可以列举硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或者它们的改性树脂。其中，硅酮树脂以及改性硅酮树脂由于耐热性以及耐光性优异，因而优选。作为具体的硅酮树脂，可以列举二甲基硅酮树脂、苯基甲基硅酮树脂、二苯基硅酮树脂。白色颜料白色颜料能够单独使用氧化钛、氧化锌、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、硅酸镁、钛酸钡、硫酸钡、氢氧化铝、氧化铝、氧化锆、氧化硅中的一种，或者将上述材料中的两种以上组合而使用。白色颜料的形状能够适当选择，可以为无定形或者破碎状，但基于流动性的观点优选为球状。另外，白色颜料的粒径例如可以列举0.1μm以上且0.5μm以下左右，但为了提高光反射、覆盖的效果而越小越优选。光反射性的反射构件中的白色颜料的含量能够适当选择，基于光反射性以及液态时的粘度等观点，例如优选为10wt％以上且80wt％以下，更优选为20wt％以上且70wt％以下，进一步优选为30wt％以上且60wt％以下。需要说明的是，“wt％”是重量百分比，表示该材料的重量相对于反射构件的总重量的比率。导光构件50导光构件是将发光元件与透光性构件粘接，并将来自发光元件的光向透光性构件引导的构件。导光构件的母材可以列举硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或者它们的改性树脂。其中，硅酮树脂以及改性硅酮树脂由于耐热性以及耐光性优异，因而优选。作为具体的硅酮树脂，可以列举二甲基硅酮树脂、苯基甲基硅酮树脂、二苯基硅酮树脂。另外，导光构件的母材与上述的透光性构件能够使用同样的扩散粒子。覆盖构件覆盖构件覆盖发光元件的光导出面，使发光元件的光扩散，或将发光元件的光改变为峰值波长与发光元件的峰值波长的光不同的光。覆盖构件的母材覆盖构件的母材能够使用与透光性构件的母材同样的材料。覆盖构件的扩散粒子覆盖构件的扩散粒子是指第三扩散粒子。覆盖构件的扩散粒子能够使用与透光性构件的扩散粒子同样的材料。基板10基板10是载置发光元件的构件。基板10例如包括基材11、第一配线12、第二配线13、以及过孔15。在基材11具有凹陷的情况下，可以具备覆盖凹陷的内壁的第三配线14。基材11基材11能够使用树脂或者纤维强化树脂、陶瓷、玻璃等绝缘性构件而构成。作为树脂或者纤维强化树脂，可以列举环氧树脂、环氧玻璃、双马来酰亚胺三嗪BT、聚酰亚胺树脂等。作为陶瓷，可以列举氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化锆、氧化钛、氮化钛、或者它们的混合物等。优选使用上述基材中的、特别是具有与发光元件的线膨胀系数接近的物性的基材。基材的厚度的下限值能够适当选择，但基于基材的强度的观点，优选为0.05mm以上，更优选为0.2mm以上。另外，基于发光装置的厚度进深的观点，基材的厚度的上限值优选为0.5mm以下，更优选为0.4mm以下。第一配线12、第二配线13、第三配线14第一配线配置于基板的正面，且与发光元件电连接。第二配线配置于基板的背面，且经由过孔而与第一配线电连接。第三配线覆盖凹陷的内壁，且与第二配线电连接。第一配线、第二配线以及第三配线能够由铜、铁、镍、钨、铬、铝、银、金、钛、钯、铑、或者它们的合金形成。可以为上述金属或者合金的单层也可以为它们的多层。特别是，基于散热性的观点而优选为铜或者铜合金。另外，基于导电性粘接构件的浸渗性以及或者光反射性等观点，可以在第一配线以及或者第二配线的表层设置有银、铂、铝、铑、金或者它们的合金等的层。过孔15过孔15是设置在贯通基材11的正面和背面的孔内并将第一配线与第二配线电连接的构件。过孔15可以包括覆盖基材的贯通孔的表面的第四配线151、以及填充在第四配线内151的填充构件152。第四配线151能够使用与第一配线、第二配线以及第三配线同样的导电性构件。填充构件152可以使用导电性的构件，也可以使用绝缘性的构件。绝缘膜18绝缘膜18是实现确保背面的绝缘性以及防止短路的构件。绝缘膜可以由该领域中使用的任意材料形成。例如，可以列举热固性树脂或者热塑性树脂等。导电性粘接构件60导电性粘接构件是指将发光元件的电极与第一配线电连接的构件。作为导电性粘接构件能够使用金、银、铜等的凸块；包含银、金、铜、铂、铝、钯等的金属粉末与树脂粘合剂的金属膏；锡-铋系、锡-铜系、锡-银系、金-锡系等的焊料；低融点金属等的钎料中的任一方。产业上的可利用性本发明的一实施方式所涉及的发光装置能够利用于液晶显示器的背光装置、各种照明器具、大型显示器、广告或目标地引导等的各种显示装置、投影装置、以及数码摄像机、传真机、复印机、扫描仪等中的图像读取装置等。

权利要求：1.一种发光装置，具备：第一发光元件，其具备长方形的第一元件光导出面、位于与所述第一元件光导出面相反的一侧的第一元件电极形成面、位于所述第一元件光导出面与所述第一元件电极形成面之间的第一元件侧面、以及设置于所述第一元件电极形成面的一对第一元件电极；第二发光元件，其具备长方形的第二元件光导出面、位于与所述第二元件光导出面相反的一侧的第二元件电极形成面、位于所述第二元件光导出面与所述第二元件电极形成面之间的第二元件侧面、以及设置于所述第二元件电极形成面的一对第二元件电极，所述第二发光元件具有与所述第一发光元件的发光峰值波长不同的发光峰值波长，且所述第一元件光导出面的短边与所述第二元件光导出面的短边对置；导光构件，其连续地覆盖所述第一元件光导出面、所述第一元件侧面、所述第二元件光导出面以及所述第二元件侧面；透光性构件，其经由所述导光构件而覆盖所述第一元件光导出面以及所述第二元件光导出面；以及第一反射构件，其经由所述导光构件而覆盖所述第一元件侧面以及所述第二元件侧面，所述透光性构件具备与所述第一元件光导出面以及所述第二元件光导出面对置的第一透光层、配置在所述第一透光层上的波长转换层、以及配置在所述波长转换层上的第二透光层，所述第一透光层包括第一母材和第一扩散粒子，所述波长转换层包括第二母材和波长转换粒子，所述第二透光层包括第三母材和第二扩散粒子。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一透光层、所述第二透光层以及所述导光构件实质上不含有波长转换粒子。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一发光元件的发光峰值波长处于430nm以上且小于490nm的范围，所述第二发光元件的发光峰值波长处于490nm以上且小于570nm的范围。4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述波长转换粒子的发光峰值波长为580nm以上且小于680nm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其中，所述波长转换粒子包括锰激活氟化物荧光体。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其中，所述第一母材、所述第二母材以及所述第三母材包含相同的树脂材料。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光装置，其中，所述发光装置具备第一覆盖构件，该第一覆盖构件包括第三扩散粒子，且覆盖所述第二元件光导出面。8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置，其中，所述发光装置具备覆盖所述第一元件电极形成面以及第二元件电极形成面的第二反射构件。9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光装置，其中，所述发光装置在所述导光构件与所述第一反射构件之间具备第三反射构件。10.根据权利要求1至9中任一项所述的发光装置，其中，所述发光装置具备载置所述第一发光元件以及所述第二发光元件的基板。11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光装置，其中，所述发光装置具备第三发光元件，该第三发光元件具备第三元件光导出面、与所述第三元件光导出面对置的第三元件电极形成面、位于所述第三元件光导出面与所述第三元件电极形成面之间的第三元件侧面、以及设置于所述第三元件电极形成面的一对电极，所述导光构件连续地覆盖所述第三元件光导出面以及所述第三元件侧面，所述透光性构件经由所述导光构件而覆盖所述第三元件光导出面，所述第一反射构件经由所述导光构件而覆盖所述第三元件侧面。12.根据权利要求11所述的发光装置，其中，在主视观察时，所述第二发光元件位于所述第一发光元件与所述第三发光元件之间。13.根据权利要求11或12所述的发光装置，其中，所述第一发光元件的发光峰值波长与所述第三发光元件的发光峰值波长相同。

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