申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2019-09-24

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN110943057B

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/373

优先权：["20180924 EP 18196185.5"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2020.04.24#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：本发明公开了一种功率半导体模块装置，其包括：半导体衬底10，其包括电介质绝缘层110、附接到电介质绝缘层110的第一金属化层111、以及附接到电介质绝缘层110的第二金属化层112，其中，电介质绝缘层110设置在第一和第二金属化层111，112之间。功率半导体模块装置还包括：基板30；以及导热材料层40，其在功率半导体模块装置的垂直方向y上布置在半导体衬底10和基板30之间。导热材料层40被布置为邻近半导体衬底10的表面61并邻近基板30的表面31，其中，半导体衬底10的表面61和基板30的表面31是平面表面。半导体衬底10具有8ppmK或更低的第一热膨胀系数，基板30具有9ppmK或更低的第二热膨胀系数，并且导热材料层40具有18ppmK或更高的第三热膨胀系数。导热材料层40在垂直方向y上具有厚度d1，其中，厚度d1处于40μm和150μm之间。

主权项：1.一种功率半导体模块装置，包括：半导体衬底10，其包括电介质绝缘层110、附接到所述电介质绝缘层110的第一金属化层111、以及附接到所述电介质绝缘层110的第二金属化层112，其中，所述电介质绝缘层110设置在所述第一金属化层111和所述第二金属化层112之间；基板30；以及导热材料层40，其在所述功率半导体模块装置的垂直方向y上布置在所述半导体衬底10和所述基板30之间，其中：所述导热材料层40被布置为邻近所述半导体衬底10的表面61并邻近所述基板30的表面31，其中，所述半导体衬底10的所述表面61和所述基板30的所述表面31是平面表面，所述半导体衬底10具有8ppmK或更低的第一热膨胀系数，所述基板30具有9ppmK或更低的第二热膨胀系数，所述导热材料层40具有18ppmK或更高的第三热膨胀系数，并且所述导热材料层40在所述垂直方向y上具有厚度d1，其中，所述厚度d1处于40μm和150μm之间。

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