申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2021-09-06

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN113764452B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.12.24#实质审查的生效;2021.12.07#公开

摘要：本发明提供了一种像素单元结构及其形成方法，所述像素单元结构的形成方法包括：提供衬底，衬底内形成有间隔分布的第一感光元件和第二感光元件；去除第一感光元件和第二感光元件的感光区域上方的第二阻挡层和金属层；形成图案化的光刻胶层，覆盖第二感光元件的感光区域并暴露第一感光元件的感光区域；以图案化的光刻胶层为掩模，刻蚀去除第一感光元件的感光区域上方的第一阻挡层，第二感光元件的感光区域上方的第一阻挡层的作为第二感光元件的挡光层保留。本发明大幅减少了第一感光元件和第二感光元件在刻蚀中受到的等离子体损伤，避免了像素单元性能的劣化，从而提高图像传感器的可靠性和成品率，同时简化了工艺流程，降低了工艺成本。

主权项：1.一种像素单元结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内形成有间隔分布的第一感光元件和第二感光元件；在所述衬底的背面上形成金属隔离层，所述金属隔离层自所述衬底的背面依次包括第一阻挡层和金属层；采用等离子刻蚀工艺去除所述第一感光元件和所述第二感光元件的感光区域上方的所述金属层，刻蚀停止于所述第一阻挡层的上方；形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层覆盖所述第二感光元件的感光区域，并暴露所述第一感光元件的感光区域；以及，以所述图案化的光刻胶层为掩模，采用等离子刻蚀工艺刻蚀去除所述第一感光元件的感光区域上方的所述第一阻挡层，所述第二感光元件的感光区域上方的所述第一阻挡层作为所述第二感光元件的挡光层保留。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 像素单元结构及其形成方法

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