申请/专利权人：香港中文大学(深圳)

申请日：2023-09-01

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117097263B

主分类号：H03B5/12

分类号：H03B5/12;H03K19/094

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2023.12.08#实质审查的生效;2023.11.21#公开

摘要：本发明公开了一种双模式的单核振荡器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1~第五电感L5，第一电容C1以及第一变容管Var1~第四变容管Var4，所述第三MOS管M3的源极连接到第一MOS管的漏极，所述第三MOS管M3的漏极连接到第二MOS管的漏极，所述第三MOS管M3的栅极连接有第三偏置电压输入端口。本发明的振荡器通过开关仅在一个振荡器核心实现差模和共模的切换，并能够实现差模和共模状态下频率的调谐。

主权项：1.一种双模式的单核振荡器，其特征在于：包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1~第五电感L5，第一电容C1以及第一变容管Var1~第四变容管Var4；所述第一MOS管M1的漏极与第二电感L2的第一端连接，所述第二MOS管M2的漏极与第三电感L3的第一端连接，所述第二电感L2的第二端与第三电感L3的第二端相连，所述第一电感L1的第一端连接到第二电感L2与第三电感L3之间，第一电感L1的第二端连接供电电源；所述第一MOS管M1的源极和第二MOS管M2的源极相连且连接的公共点接地；所述第一MOS管M1的栅极依次通过第一电容C1和第二电容C2连接到第二MOS管M2的栅极；第四电感L4的第一端连接到第一MOS管M1的栅极，第四电感L4的第二端连接到第二MOS管M2的漏极；第五电感L5的第一端连接到第二MOS管M2的栅极，第五电感L5的第二端连接到第一MOS管M1的漏极；第一变容管Var1的第一端与第二变容管Var2的第一端连接，第一变容管Var1的第二端连接到第一MOS管M1的漏极，第二变容管Var2的第二端连接到第二MOS管M2的栅极；所述第三变容管Var3的第一端与第四变容管Var4的第一端连接，第三变容管Var3的第二端与第二MOS管M2的漏极连接，第四变容管Var4的第二端与第一MOS管M1的栅极连接；所述第一变容管Var1与第二变容管Var2之间连接有第一偏置电压输入端口，所述第三变容管Var3与第四变容管Var4之间连接有第二偏置电压输入端口；所述第三MOS管M3的源极连接到第一MOS管的漏极，所述第三MOS管M3的漏极连接到第二MOS管的漏极，所述第三MOS管M3的栅极连接有第三偏置电压输入端口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 香港中文大学(深圳) 一种双模式的单核振荡器

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